再成長技術を駆使した横型ナノシートチャネルトンネルFETの作製と解析

• 研究課題/領域番号: 21K14207
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 後藤 高寛 東京工業大学, 工学院, 助教 (70827914)
• 研究期間 (年度): 2021-04-01 – 2024-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2021年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2023年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2022年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2021年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
• キーワード: MOSFET / TFET / III-V semiconductors

研究開始時の研究の概要

本研究では、極低電圧動作が可能なトンネルFETに着目し、高速動作に必要な高電流密度を得るため、ソース・チャネル接合にトンネル距離の短縮が可能なGaAsSb/InGaAs Type-IIヘテロ接合を導入する。また、素子内および素子間のばらつきを抑制するため、原子層レベルで平坦性を制御可能なナノシート構造をチャネル領域に採用する。そして、要素技術を組み合わせることで、再成長GaAsSbソース・InGaAsナノシートチャネルType-IIヘテロ接合トンネルFETの動作を実証する。