半導体多層配線のプロセス限界を超越する拡散バリア層の開発原理

• 研究課題/領域番号: 22226012
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 構造・機能材料
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 小池 淳一 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (10261588)
• 連携研究者: 須藤 祐司 東北大学, 大学院工学研究科, 准教授 (80375196) ; 根石 浩司 東北大学, 大学院工学研究科, 助教 (00404020) ; 安藤 大輔 東北大学, 大学院工学研究科, 助教 (50615820)
• 研究期間 (年度): 2010-04-01 – 2015-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2014年度)
• 配分額: 106,210千円 (直接経費: 81,700千円、間接経費: 24,510千円); 2014年度: 10,660千円 (直接経費: 8,200千円、間接経費: 2,460千円); 2013年度: 11,050千円 (直接経費: 8,500千円、間接経費: 2,550千円); 2012年度: 23,920千円 (直接経費: 18,400千円、間接経費: 5,520千円); 2011年度: 23,790千円 (直接経費: 18,300千円、間接経費: 5,490千円); 2010年度: 36,790千円 (直接経費: 28,300千円、間接経費: 8,490千円)
• キーワード: 銅合金 / 薄膜 / 配線 / 半導体 / 界面 / リフロー / バリア層 / 電界促進拡散 / 対数成長則 / 電解促進拡散

研究成果の概要

半導体多層配線は、微細化の進展に伴って導体配線と絶縁層の界面に存在するバリア層厚さを可能な限り薄くすることが求められている。本研究はバリア層自己形成法に着目し、その形成機構を明らかにするとともに、プロセス限界を超越できる拡散バリア層の材料ならびに形成方法を提供することを目的とした。バリア層自己形成機構に関しては、電界促進拡散による機構であることを明らかにし、合金元素によって電界強度に差異が生じるため自己形成挙動が異なることを示した。また、将来の超微細配線を想定して、化学気相成長法による極薄バリア層の形成法とスパッタリフロー法による配線の形成法を確立し、それらの形成機構を明らかにした。

評価記号

検証結果 (区分)

A

研究成果

• [雑誌論文] Diffusion barrier property of MnSixOy layer formed by chemical vapor deposition for Cu advanced interconnect application (2015)
  • 著者名/発表者名: Mai Phuong Nguyen, Yuji Sutou, Junichi Koike
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 580 ページ: 56-60
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of O2 and N2 flow rate on the electrical properties of Fe-O-N films (2014)
  • 著者名/発表者名: Yukiko Ogawa, Daisuke Ando, Yuji Sutou and Junichi Koike
  • 雑誌名: Materials Transactions 巻: 55 ページ: 1606-1610
  • 査読あり
• [雑誌論文] Formation behavior and adhesion property of metallic Mn layer on porous SiOC by chemical vapor deposition (2014)
  • 著者名/発表者名: Yoshiyuki Tsuchiya, Daisuke Ando, Yuji Sutou, and Junichi Koike
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 53
  • NAID: 210000143943
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reflow behavior of Cu-Mn in LSI line patterns (2014)
  • 著者名/発表者名: Tomohiro Saito, Daisuke Ando, Yuji Sutou, and Junichi Koike
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 53
  • NAID: 210000143942
  • 査読あり
• [雑誌論文] Barrier Properties of CVD Mn Oxide Layer to Cu diffusion for 3-D TSV (2014)
  • 著者名/発表者名: Lee. K. -W, Wang. H, Bae. J. -C, Murugesan. M, Sutou. Y, Fukushima. T, Tanaka. T, Koike. J, Koyanagi. M
  • 雑誌名: Electron device letter 巻: 35 ページ: 114-116
  • 査読あり
• [雑誌論文] Barrier properties of CVD Mn Oxide Layer to Cu diffusion for 3-D TSV (2014)
  • 著者名/発表者名: Lee. K. -W, Wang. H, Bae. J. -C, Murugesan. M, Sutou. Y, Fukushima. T, Tanaka. T, Koike. J, Koyanagi. M
  • 雑誌名: IEEE Electron Device Letters 巻: 35 号: 1 ページ: 114-116
  • DOI: 10.1109/led.2013.2287879
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reflow behavior of Cu-Mn in LSI line patterns (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Saito, D. Ando, Y. Sutou and J. Koike
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 53 ページ: 1-3
  • NAID: 210000143942
  • 査読あり
• [雑誌論文] Formation of metallic Mn layer on porous SiOC by Chemical Vapor Deposition (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Tsuchiya, D. Ando, Y. Sutou and J. Koike
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 53 ページ: 1-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Simultaneous formation of a metallic Mn layer and a MnOx/MnSixOy barrier layer by chemical vapor deposition at 250℃ (2013)
  • 著者名/発表者名: A. Kurokawa, Y. Sutou, J. Koike, T. Hamada, K. Matsumoto, H. Nagai, K. Maekawa, and H. Kanato
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 52 号: 5S3 ページ: 05FA02-05FA02
  • DOI: 10.7567/jjap.52.05fa02
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural Characterization of a Manganese Oxide Barrier Layer Formed by Chemical Vapor Deposition for Advanced Interconnects Application on SiOC Dielectric Substrates (2013)
  • 著者名/発表者名: Nguyen Mai Phuong; Sutou, Yuji; Koike, Junichi
  • 雑誌名: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C 巻: 117 号: 1 ページ: 160-164
  • DOI: 10.1021/jp303241c
  • 査読あり
• [雑誌論文] Deposition behavior and substrate dependency of ALD MnOx diffusion barrier layer (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Matsumoto, K. Maekawa, H. Nagai and J. Koike
  • 雑誌名: Proc. IEEE International Interconnect Technology Conference 巻: 1 ページ: 1-3
  • DOI: 10.1109/iitc.2013.6615566
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterization of chemically vapor deposited manganese barrier layers using X-ray absorption fine structure (2012)
  • 著者名/発表者名: J.M. Ablett, C.J. Wilson, N.M. Phuong and J. Koike
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 51 号: 5S ページ: 05EB01-05EB01
  • DOI: 10.1143/jjap.51.05eb01
  • NAID: 210000140638
  • 査読あり
• [雑誌論文] Interface reaction behavior between Mn and SiO2 formed by RF sputter deposition (2012)
  • 著者名/発表者名: B.T.Bae, T. Nakano and J. Koike
  • 雑誌名: Key Engineering Materials 巻: 508 ページ: 48-51
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/kem.508.48
  • 査読あり
• [雑誌論文] Metal reaaction doping and ohmic contact with Cu-Mn electrode on amorphous In-Ga-Zn-O semiconductor (2011)
  • 著者名/発表者名: P.S.Yun, J.Koike
  • 雑誌名: J.The Electrochemical Society 巻: 158
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of adsorbed moisture in SiO_2 substrates on the formation of a Mn oxide layer by chemical vapor deposition (2011)
  • 著者名/発表者名: N.M.Phuong, K.Neishi, Y.Sutou, J.Koike
  • 雑誌名: J.Physical Chemistry C 巻: 115 号: 34 ページ: 16731-16738
  • DOI: 10.1021/jp201299w
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural and electronic properties of a Mn oxide diffusion barrier layer formed by chemical vapor deposition (2011)
  • 著者名/発表者名: V.K.Dixit, K.Neishi, N.Akao, J.Koike
  • 雑誌名: IEEE Trans.Device and Materials Reliability 巻: 11 号: 2 ページ: 295-302
  • DOI: 10.1109/tdmr.2011.2141671
  • 査読あり
• [雑誌論文] Cu-Mn alloy electrodes on In-Ga-Zn-O semiconductors (2011)
  • 著者名/発表者名: P.S.Yun, J.Koike
  • 雑誌名: International Meeting on Information Display 2011 Digest ページ: 62-63
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural and electronic properties of a Mn oxide diffusion barrier layer formed by chemical vapor deposition (2011)
  • 著者名/発表者名: P.S.Yun, M.Naito, R.Kumagai, Y.Sutou, J.Koike
  • 雑誌名: The Society for Inf)rmation Display 2011 Digest ページ: 1177-1180
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structure and electronic properties of a Mn oxide diffusion barrier layer formed by chemical vapor deposition (2011)
  • 著者名/発表者名: V.K.Dixit, K.Neishi, N.Akao, J.Koike
  • 雑誌名: IEEE Trans.Device and Materials Reliability 巻: (accepted)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of water desorption from SiO2 substrates on the thickness of manganese oxide diffusion barrier layer formed by chemical vapor deposition (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Matsumoto, K.Neishi, H.Itoh, H.Miyoshi, H.Sato, S.Hosaka, J.Koike
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrical properties and microstructure of Cu-Mn electrodes on amorphous In-Ga-Zn-O semiconductors (2010)
  • 著者名/発表者名: Pilsang Yun, Junichi Koike
  • 雑誌名: Proc.of AM-FPD'10 ページ: 45-48
• [雑誌論文] Cu alloy TFT electrodes for advanced displays (2010)
  • 著者名/発表者名: J.Koike, K.Hirota, P.Yun, Y.Sutou
  • 雑誌名: Proc.of AM-FPD'10 ページ: 89-91
• [学会発表] 7nmノード以降の未踏領域における多層配線のあり方 (2014)
  • 著者名/発表者名: 小池淳一
  • 学会等名: Semicon Japan
  • 発表場所: 東京ビッグサイト(東京）
  • 年月日: 2014-12-04 – 2014-12-06
  • 招待講演
• [学会発表] Cu/Si界面のMn酸化物拡散バリア層の特性評価 (2014)
  • 著者名/発表者名: 田辺成俊、安藤大輔、須藤祐司、小池淳一
  • 学会等名: 日本金属学会2014年秋期講演大会
  • 発表場所: 名古屋大学東山キャンパス（名古屋市）
  • 年月日: 2014-09-24 – 2014-09-26
• [学会発表] What can we do about barrier layer scaling to 5 nm node technology (2014)
  • 著者名/発表者名: Junichi Koike
  • 学会等名: Symposia on VLSI Technology and Circuits
  • 発表場所: Honolulu, USA
  • 年月日: 2014-06-10 – 2014-06-13
  • 招待講演
• [学会発表] Evaluation of adhesion strength and electrical property of Cu metal films on ZnO:Al (2013)
  • 著者名/発表者名: Z. F. Li, D. Ando, Y. Sutou, and J. Koike
  • 学会等名: JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: 同志社大学
• [学会発表] 湿式処理によるCu/Si界面の拡散バリア層の形成 (2013)
  • 著者名/発表者名: 田辺成俊、安藤大輔、須藤祐司、小池淳一
  • 学会等名: 日本金属学会秋季大会
  • 発表場所: 金沢大学
• [学会発表] Metal reaction doping and selective back channel etching process of amorphous In-Ga-Zn-O channel with Cu-Mn electrode for high performance thin film (2011)
  • 著者名/発表者名: P.S.Yun, J.Koike
  • 学会等名: GCOE国際会議&KINKEN-WAKATE2011
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2011-12-02
• [学会発表] Interface reaction behavior between Mn and SiO2 under the influence of electric field (2011)
  • 著者名/発表者名: B.T.Bae, J.Koike
  • 学会等名: GCOE国際会議&KINKEN-WAKATE2011
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2011-12-02
• [学会発表] Adhesion strength of metal/polyimide interface and other related topics for flexible and printable electronics (2011)
  • 著者名/発表者名: J.Koike
  • 学会等名: Int.Workshop on Flexible and Printable Electronics
  • 発表場所: Muju, Korea(招待講演)
  • 年月日: 2011-11-17
• [学会発表] 金属/非晶質In-Ga-Zn-O(a-IGZO)における反応挙動とコンタクト特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 内藤まゆみ、尹弼相、須藤祐司、小池淳一
  • 学会等名: 日本金属学会第149回秋期大会
  • 発表場所: 沖縄コンベンションセンター
  • 年月日: 2011-11-08
• [学会発表] Cu-Mn合金の電気抵抗率に及ぼす熱処理時の酸素圧と温度の影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 東城裕樹、安藤大輔、須藤祐司、小池淳一
  • 学会等名: 日本金属学会第149回秋期大会
  • 発表場所: 沖縄コンベンションセンター
  • 年月日: 2011-11-07
• [学会発表] アミディネート前駆体を用いたMn酸化物の化学気相成長 (2011)
  • 著者名/発表者名: 黒川温子、安藤大輔、須藤祐司、小池淳一
  • 学会等名: 日本金属学会第149回秋期大会
  • 発表場所: 沖縄コンベンションセンター
  • 年月日: 2011-11-07
• [学会発表] Cu-Mn alloy electrodes on IGZO semiconductors for back-channel-etched TFT (2011)
  • 著者名/発表者名: J.Koike, P.S.Yun
  • 学会等名: 11th Int.Meeting on Information Display
  • 発表場所: Seoul, Korea(招待講演)
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Interface reaction behavior between Mn and SiO2 and the effects of moisture in SiO2 (2011)
  • 著者名/発表者名: B.T.Bae, J.Koike
  • 学会等名: ADMETA Plus 2011
  • 発表場所: 芝浦工業大学
  • 年月日: 2011-09-13
• [学会発表] Thermal stability of MnOx Diffusion barrier layer formed by chemical vapor deposition (2011)
  • 著者名/発表者名: N.M.Phuong, Y.Sutou, J.Koike
  • 学会等名: ADMETA Plus 2011
  • 発表場所: 芝浦工業大学
  • 年月日: 2011-09-13
• [学会発表] The contact properties and TFT structures of oxide semiconductor TFTs combined with metal electrodes (2011)
  • 著者名/発表者名: P.S.Yun, J.Koike
  • 学会等名: 12th Conference of the European Ceramic Society
  • 発表場所: Stockholm, Sweden
  • 年月日: 2011-06-22
• [学会発表] Growth behavior of an interface layer between Mn and SiO2 (2011)
  • 著者名/発表者名: B.T.Bae, J.Koike
  • 学会等名: 東北大学GCOE-ストックホルム大学研究交流プログラムBaltic Boat Conference 2011
  • 発表場所: Stockholm, Sweden
  • 年月日: 2011-06-15
• [学会発表] The contact properties and TFT structures of a-IGZO TFTs combined with Cu-Mn alloy electrodes (2011)
  • 著者名/発表者名: P.S.Yun, M.Naito, R.Kumagai, Y.Sutou, J.Koike
  • 学会等名: The Society for Information Display 2011
  • 発表場所: Los Angels, USA
  • 年月日: 2011-05-19
• [学会発表] Microstructure Analysis and Electrical Properties of Cu-Mn Electrode for Back-Channel Etching a-IGZO TFT (2010)
  • 著者名/発表者名: P.S.Yun, J.Koike
  • 学会等名: The 17th Internatinal Display Workshops
  • 発表場所: 福岡市
  • 年月日: 2010-12-01
• [学会発表] Cu-Mn Alloy Electrodes for Advances Electronic Devices (2010)
  • 著者名/発表者名: J.Koike, S.M.Chung, N.M.Phuong, P.S.Yun, Y.Sutou
  • 学会等名: International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment, ENGE2010
  • 発表場所: Jeju, Korea(招待)
  • 年月日: 2010-11-21
• [学会発表] A diffusion barrier layer of manganese oxide formed by chemical vapor deposition on TEOS-SiO2 substrates (2010)
  • 著者名/発表者名: N.M.Phuong, J.Koike
  • 学会等名: International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment, ENGE2010
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 2010-11-21
• [学会発表] Back-channel etching process of amorphous IGZO thin film transistors using Cu-based electrodes (2010)
  • 著者名/発表者名: P.S.Yun, J.Koike
  • 学会等名: International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment, ENGE2010
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 2010-11-21
• [学会発表] Cu-Mn合金の先端デバイス配線としての基礎と応用 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小池淳一
  • 学会等名: 真空・表面科学合同講演会
  • 発表場所: 大阪大学(招待)
  • 年月日: 2010-11-04
• [学会発表] Novel Cu alloy interconnections for advanced semiconductors and displays (2010)
  • 著者名/発表者名: J.Koike, S.M.Chung, K.Neishi, Y.Sutou
  • 学会等名: 2010 i-SEDEX
  • 発表場所: Seoul, Korea(招待)
  • 年月日: 2010-10-12
• [学会発表] 先端LSI-Cu配線用MnOxバリア層形成と信頼性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小池淳一
  • 学会等名: 日本金属学会
  • 発表場所: 北海道大学(基調)
  • 年月日: 2010-09-25
• [学会発表] Cu-Mn合金電極を用いた非晶質IGZO薄膜トランジスタのバックチャネルエッチング特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 尹弼相、小池淳一
  • 学会等名: 応用物理学会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Cu-Mn合金配線を用いた液晶ディスプレイ用TFTの電気特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 内藤まゆみ、廣田和彦、須藤祐司、小池淳一
  • 学会等名: 応用物理学会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Electrical Properties and Microstructure of Cu-Mn Electrodes on Amorphous In-Ga-Zn-O Semiconductors (2010)
  • 著者名/発表者名: P.S.Yun, J.Koike
  • 学会等名: Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
  • 発表場所: 東京工業大学
  • 年月日: 2010-07-05
• [学会発表] Cu Alloy TFT Electrodes for Advanced Displays (2010)
  • 著者名/発表者名: J.Koike, K.Hirota, P.S.Yun, Y.Sutou
  • 学会等名: Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
  • 発表場所: 東京工業大学(招待)
  • 年月日: 2010-07-05
• [学会発表] Formation of Mn barrier layer on porous SiOC by Chemical Vapor Deposition
  • 著者名/発表者名: Y. Tsuchiya, D. Ando, Y. Sutou, and J. Koike
  • 学会等名: ADMETA2013
  • 発表場所: 東京大学
• [学会発表] Specific contact resistivity measurements between Cu alloy and ZnGaAs using by Refined TLM
  • 著者名/発表者名: B. T. Bae, D. Ando, Y.Sutou, and J. Koike
  • 学会等名: ADMETA2013
  • 発表場所: 東京大学
• [学会発表] Grawth and diffusion barrier properties of CVD Mn oxide in a TSV structure
  • 著者名/発表者名: Hao Wang, Yuji Sutou, Ando Daisuke, Junichi Koike, Kangwook Lee, Jicheil Bae, Mariappan Murugesan, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, and Mitsumasa Koyanagi
  • 学会等名: ADMETA2013
  • 発表場所: 東京大学
• [学会発表] アミディネート前駆体を用いたCVD法によるMnOxの形成
  • 著者名/発表者名: 黒川温子
  • 学会等名: 応用物理学会
  • 発表場所: 愛媛大学
• [学会発表] Simultaneous formation of a mwtallic Mn layer and a MnOx/MnSixOy barrier layer by chemical vapor deposition at 250℃
  • 著者名/発表者名: J. Koike
  • 学会等名: Advanced Metallization Conference
  • 発表場所: アルバニー（アメリカ）
• [備考] 小池研究室 東北大学大学院工学研究科
  • URL: http://www.koike-lab.jp/
• [産業財産権] THIN-FILM TRANSISTOR (2013)
  • 発明者名: 小池淳一、ユンピルサン、川上英昭
  • 権利者名: 先端配線材料研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2013-05-01
  • 外国
• [産業財産権] 半導体装置 (2011)
  • 発明者名: 小池淳一、ユン ピルサン、柴冨昭洋
  • 権利者名: 先端配線材料研究所
  • 出願年月日: 2011-06-30
  • 外国
• [産業財産権] 薄膜トランジスタ (2011)
  • 発明者名: 小池淳一、ユン ピルサン、柴冨昭洋
  • 権利者名: 先端配線材料研究所
  • 出願年月日: 2011-06-30
  • 外国
• [産業財産権] Copper alloys and liquid-crystal displays (2011)
  • 発明者名: 小池淳一、川上英昭
  • 権利者名: 東北大学、先端配線材料研究所
  • 出願年月日: 2011-01-17
  • 外国
• [産業財産権] 成膜方法、前処理装置及び処理系統 (2010)
  • 発明者名: 松本賢治、保坂重敏、根石浩司、小池淳一
  • 権利者名: 東北大学、東京エレクトロン
  • 出願年月日: 2010-06-15
  • 外国
• [産業財産権] 成膜方法、前処理装置及び処理系統 (2010)
  • 発明者名: 松本賢治、保坂重敏、根石浩司、小池淳一
  • 権利者名: 東北大学、東京エレクトロン
  • 出願年月日: 2010-06-16
  • 外国
• [産業財産権] Copper interconnect structure, semiconductor device, and method for forming copper interconnection structure (2010)
  • 発明者名: 小池淳一、柴富昭洋
  • 権利者名: 東北大学、先端配線材料研究所
  • 出願年月日: 2010-06-24
  • 外国
• [産業財産権] 薄膜トランジスタ (2010)
  • 発明者名: 小池淳一、ユン ピルサン、川上英昭
  • 権利者名: 東北大学、先端配線材料研究所
  • 産業財産権番号: 2010-152112
  • 出願年月日: 2010-07-02
• [産業財産権] 薄膜トランジスタ (2010)
  • 発明者名: 小池淳一、ユン ピルサン、川上英昭
  • 権利者名: 東北大学、先端配線材料研究所
  • 産業財産権番号: 2010-152113
  • 出願年月日: 2010-07-02
• [産業財産権] Copper alloys and liquid-crystal display (2010)
  • 発明者名: 小池淳一、川上英昭
  • 権利者名: 東北大学、先端配線材料研究所
  • 出願年月日: 2010-07-09
  • 外国
• [産業財産権] 半導体装置の製造方法、半導体装置、電子機器、半導体製造装置及び記憶媒体 (2010)
  • 発明者名: 松本賢治、伊藤仁、佐藤浩、小池淳一、根石浩司
  • 権利者名: 東北大学、東京エレクトロン
  • 出願年月日: 2010-07-12
  • 外国
• [産業財産権] コンタクトプラグ、配線、半導体装置およびコンタクトプラグ形成方法 (2010)
  • 発明者名: 根石浩司、小池淳一、柴富昭洋
  • 権利者名: 東北大学、先端配線材料研究所
  • 産業財産権番号: 2010-016550
  • 出願年月日: 2010-07-15
• [産業財産権] 半導体装置の製造方法、半導体装置、電子機器、半導体製造装置及び記憶媒体 (2010)
  • 発明者名: 松本賢治、伊藤仁、佐藤浩、小池淳一、根石浩司
  • 権利者名: 東北大学、東京エレクトロン
  • 出願年月日: 2010-07-27
  • 外国
• [産業財産権] Contact plug structure, semiconductor device, and method for forming contact plug (2010)
  • 発明者名: 小池淳一、柴富昭洋、根石浩司
  • 権利者名: 東北大学、先端配線材料研究所
  • 出願年月日: 2010-09-07
  • 外国
• [産業財産権] 金属酸化膜の成膜方法、酸化マンガンの成膜方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 (2010)
  • 発明者名: 松本賢治、根石浩司、小池淳一
  • 権利者名: 東北大学、東京エレクトロン
  • 出願年月日: 2010-09-17
  • 外国