| 研究課題/領域番号 |
22360012
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
長谷川 達生 独立行政法人産業技術総合研究所, フレキシブルエレクトロニクス研究センター, 副研究センター長 (00242016)
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| 研究分担者 |
山田 寿一 独立行政法人産業技術総合研究所, フレキシブルエレクトロニクス研究センター, 主任研究員 (20358261)
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| 連携研究者 |
ミシュチェンコ アンドレィ (50525889)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
19,630千円 (直接経費: 15,100千円、間接経費: 4,530千円)
2012年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2011年度: 6,890千円 (直接経費: 5,300千円、間接経費: 1,590千円)
2010年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
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| キーワード | 有機 / 分子エレクトロニクス / 有機半導体 / 電子スピン共鳴 / 薄膜トランジスタ / トラップ / 有機エレクトロニクス / キャリア輸送 / プリンテッドエレクトロニクス / アンダーソン局在 / 有機トランジスタ / 電子輸送 / トラップ準位 |
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| 研究概要 |
電界誘起電子スピン共鳴法を用いて、有機薄膜トランジスタの特性を決定づける微視的要因、特に多結晶薄膜を構成する微結晶内のトラップ状態密度分布、不純物準位、および微結晶間の障壁ポテンシャルを評価解析する手法を開発した。また解析に必要な孤立分子のg値測定を行うとともに、解析の結果得られた広く分布する浅い局在状態密度が、ゲート絶縁層内の極性基のランダム配向に起因したポテンシャル揺らぎに起源を持つことを明らかにした。
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