研究課題
基盤研究(B)
金属/微小空隙/絶縁体/半導体構造デバイスの容量-電圧測定によるデオキシリボ核酸ハイブリダイゼーションの電気センシングを実証した。デオキシリボ核酸のハイブリダイゼーションは、センシングデバイスの容量-電圧曲線のシフトから解析した。金属/微小空隙/絶縁体/半導体構造デバイスは、デオキシリボ核酸ハイブリダイゼーションと非ハイブリダイゼーションを識別できることを実証した。金属/微小空隙/絶縁体/半導体構造アレイの容量-電圧測定による純水の電気センシング動作を実証した。
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