研究課題
基盤研究(B)
三次元集積回路(3DIC)をウェーハレベル、且つ高歩留りで作製するための鍵となるリコンフィギュラブル接合技術を開発し、良品チップにSi貫通配線(TSV:Through-SiVia)を形成して多段積層する新たな三次元集積化技術を創出した。リコンフィギュラブル接合とは、液体の表面張力を駆動源として多数のチップを一括で支持ウェーハ上に位置合わせすると同時に接合させ、高温・高真空下のTSV形成工程を経た後に、チップを剥離して別のウェーハに転写できるインテリジェントな接合が可能であった。これにより従来の(二次元)ICチップにTSVを容易に形成することが可能となるため、3DICの多品種少量生産を目的としたアジャイル集積の実現可能性が検証できた。
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