| 研究課題/領域番号 |
22360148
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 |
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研究代表者 |
柴田 浩行 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (60393732)
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| 連携研究者 |
武居 弘樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (60393790)
本庄 利守 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (70393791)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
17,680千円 (直接経費: 13,600千円、間接経費: 4,080千円)
2012年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2011年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2010年度: 13,910千円 (直接経費: 10,700千円、間接経費: 3,210千円)
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| キーワード | 光デバイス / 光回路 / 二硼化マグネシウム / 単一光子検出器 / ナノ細線 / 超伝導材料 / 保護膜 / 超薄膜 / MBE / 赤外線 / 超伝導材料・素子 / リフトオフ |
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| 研究概要 |
二硼化マグネシウム(MgB_2)を用いた超伝導ナノ細線単一光子検出器(SSPD)を初めて開発した。幅135nm、厚さ10nmのメアンダ細線からなるMgB_2-SSPDを作製し、波長405-1560nmの単一光子検出が可能であることを確認した。無機材質を用いたリフトオフ法、ラピッドアニールよる膜質改良法、in-situのAINパッシベーションによる表面酸化防止等の要素技術を確立した。
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