研究課題
基盤研究(C)
高磁場中(3-7 T)において、分子のリドベルグ電子が核の周りをサイクロトロン回転することにより生成されるランダウ準位を経由した光電離断面積を、レーザー分光の手法で測定した。光電離断面積の構造の解析により、高磁場の作用により、ランダウ準位においては、電子の軌道角運動量と核の回転の角運動量とのカップリングが切断されていることが確認された。
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