| 研究課題/領域番号 |
22560103
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 埼玉大学 |
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研究代表者 |
澁谷 秀雄 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 助教 (80303709)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2010年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 超平滑化 / メカノケミカル反応 / 第1原理計算 / 電子状態 / 研磨 / シリコン / 第一原理 / シミュレーション / 第一原理計算 / 加工技術 / ポリシング / 超精密 |
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| 研究概要 |
第一原理計算を用いた砥粒-加工物接触点近部の電子状態解析を行った.一般的に表面に付着した水酸基が加工の進展に寄与しているとされるシリカ粒子の場合,シリカ粒子を単結晶シリコン表面に接近させていっても単結晶シリコン内部の電子状態に大きな変化は見られなかった.一方,固相反応を生じるを考えられている酸化バリウムの場合,単結晶シリコンの最表面と2層目のSi原子間で電子密度の減少がみられた.
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