| 研究課題/領域番号 |
22560330
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
鎌倉 良成 大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (70294022)
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| 連携研究者 |
森 伸也 大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (70239614)
渡邊 孝信 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (00367153)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2010年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | トランジスタ / 熱伝導 / シミュレーション / MOSFET / シリコン / モンテカルロ法 / フォノン / 発熱 / 準弾道輸送 / FinFET / 電子 / 熱電 / 電子伝導 |
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| 研究概要 |
ナノスケールトランジスタを対象に、 内部の電子と熱の輸送を統一的に解くシミュレーション技術を新たに開発した。フォノン輸送やゼーベック効果など、モンテカルロ法を用いた熱電輸送解析に必要な新規アルゴリズムを提案し、またそれら要素技術を統合することにより電子とフォノンの輸送問題を同時に解くシミュレータを開発することができた。さらに得られた知見を等価回路モデルで表現し、回路レベルでの熱電解析を可能とした。
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