III-V族化合物半導体MOSFETの量子補正シミュレーション

• 研究課題/領域番号: 22560346
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 東京理科大学
• 研究代表者: 藤代 博記 東京理科大学, 基礎工学部, 教授 (60339132)
• 研究分担者: 原 紳介 東京理科大学, 基礎工学部, 助教 (30434038)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2012
• 研究課題ステータス: 完了 (2012年度)
• 配分額: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円); 2012年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2010年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
• キーワード: III-VMOSFET / III-V族化合物半導体 / 量子補正モンテカルロシミュレーション / バリスティック伝導 / 量子輸送 / CMOS ロードマップ / III－VMOSFET / III－V族化合物半導体 / 歪バンド構造 / CMOSロードマップ / MOSFET / InGaAs / InP

研究概要

量子補正モンテカルロシミュレーションを用いて,各種III-V族化合物半導体をチャネルとするプレーナおよびダブルゲート構造のMOSFET の特性を解析した。InGaAs は電子有効質量m *が小さいために注入速度vinjが大きいが,合金散乱とドレイン領域からの再注入により平均速度vsが減少し,かつゲート容量Cgが小さいために電子濃度nbが低い。GaAs はΓ-L谷間のエネルギー差が小さいためにL谷内の伝導が起こり,nbは高いがvinjが減少する。InP はm *が大きいためにvinjは小さいがドレイン領域からの再注入が起こり難く,逆にCgが大きいためにnbが高い。結果として,InP で最も大きいIdsが得られることを示した。III-V族化合物半導体チャネルの高速性の指標として,各種チャネル材料の HEMT の遮断周波数fTを見積もった。

研究成果

• [雑誌論文] Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Nagai, S. Nagai, J. Sato, S. Hara, H. I. Fujishiro,A. Endoh, I. Watanabe, and A. Kasamatsu
  • 雑誌名: Proceedings of 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Comparative Study on III-V Nanoscale DG MOSFETs with Various Channel Materials (2013)
  • 著者名/発表者名: A. Nishida, R. Ohama, S. Hara, and H. I. Fujishiro
  • 雑誌名: Abstracts of 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials (2013)
  • 著者名/発表者名: Yutaro Nagai
  • 雑誌名: Proceedings of 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013) 巻: 未定
  • 査読あり
• [雑誌論文] Comparative Study on III-V Nanoscale DG MOSFETs with Various Channel Materials (2013)
  • 著者名/発表者名: Akio Nishida
  • 雑誌名: Abstracts of 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013) 巻: 未定
  • 査読あり
• [雑誌論文] Analysis of Performances of InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation (2012)
  • 著者名/発表者名: J. Sato, Y. Nagai, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, and I. Watanabe
  • 雑誌名: Proceedings of 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012) ページ: 237-240
  • 査読あり
• [雑誌論文] 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 永井 佑太郎, 佐藤 純, 原 紳介, 藤代博記, 遠藤 聡, 渡邊 一世
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 巻: 112 ページ: 37-42
  • NAID: 110009626392
• [雑誌論文] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Homma, K. Hasegawa, H. Watanabe, S.Haraand H. I. Fujishiro
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: 9 号: 2 ページ: 346-349
  • DOI: 10.1002/pssc.201100275
  • 査読あり
• [雑誌論文] Analysis of Performances of InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation (2012)
  • 著者名/発表者名: Jun Sato
  • 雑誌名: Proceedings of 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012) 巻: なし ページ: 237-240
  • DOI: 10.1109/iciprm.2012.6403367
  • 査読あり
• [雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects (2011)
  • 著者名/発表者名: S. Hara, F. Machida, J. Sato, H. I.Fujishiro, A. Endo, Y. Yamashita and I. Watanabe
  • 雑誌名: Abstracts of 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011) ページ: 41-42
  • 査読あり
• [雑誌論文] 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤 純, 町田 史晴, 原 紳介, 藤代 博記
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 巻: 111 ページ: 79-84
  • NAID: 110008800765
• [雑誌論文] Strain Effects on Performances in InAs HEMTs (2011)
  • 著者名/発表者名: F. Machida, H. Nishino, J. Sato, H. Watanabe, S. Haraand H. I. Fujishiro
  • 雑誌名: Proceedings of 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011) ページ: 437-440
  • 査読あり
• [雑誌論文] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Homma, K. Hasegawa, H. Watanabe, S.Haraand H. I. Fujishiro
  • 雑誌名: Abstracts of 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011) ページ: 469-470
  • 査読あり
• [雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, T. Homma, T. Takegishi, Y. Hirasawa, Y. Hirata, S. Haraand H. I. Fujishiro
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: 8 ページ: 306-309
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs (2011)
  • 著者名/発表者名: H. I. Fujishiro, H. Watanabe, T. Homma and S. Hara
  • 雑誌名: Proc. International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010) 巻: 2 ページ: 1350-1352
  • 査読あり
• [雑誌論文] InGaAs-ChannelMOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 本間 嵩広,渡邉 久巨,原 紳介,藤代 博記
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 巻: 110 ページ: 47-52
  • NAID: 110007890036
• [雑誌論文] Monte Carlo Study of Strain Effect on High Field Electron Transport in InAs and InSb (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Nishino, I. Kawahira, F. Machida, S. Haraand H. I. Fujishiro
  • 雑誌名: Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010) ページ: 156-159
  • 査読あり
• [雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Hara, F.Machida, J.Sato, H.I.Fujishiro, A.Endo, Y.Yamashita, I.Watanabe
  • 雑誌名: Abstracts of 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011) ページ: 41-42
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain Effects on Performances in InAs HEMTs (2011)
  • 著者名/発表者名: F.Machida, H.Nishino, J.Sato, H.Watanabe, S. Hara, H. I. Fujishiro
  • 雑誌名: Proceedings of 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011) ページ: 437-440
  • 査読あり
• [雑誌論文] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Homma, K.Hasegawa, H. Watanabe, S.Hara, H.I.Fujishiro
  • 雑誌名: Abstracts of 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011) ページ: 469-470
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs (2010)
  • 著者名/発表者名: H.I.Fujishiro, H.Watanabe, T.Homma, S.Hara
  • 雑誌名: Proc.International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010) 巻: 2 ページ: 1350-1352
  • 査読あり
• [雑誌論文] InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 本間嵩広, 渡邉久巨, 原紳介, 藤代博記
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 巻: 110 ページ: 47-52
  • NAID: 110007890036
• [雑誌論文] Monte Carlo Study of Strain Effect on High Field Electron Transport in InAs and InSb (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Nishino, I.Kawahira, F.Machida, S.Hara, H.I.Fujishiro
  • 雑誌名: Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010) ページ: 156-159
  • 査読あり
• [学会発表] Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Nagai, S. Nagai, J. Sato, S. Hara, H. I. Fujishiro,A. Endoh, I. Watanabe,and A. Kasamatsu
  • 学会等名: 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013)
  • 発表場所: 神戸
  • 年月日: 2013-05-23
• [学会発表] Comparative Study on III-V Nanoscale DG MOSFETs with Various Channel Materials (2013)
  • 著者名/発表者名: A. Nishida, R. Ohama, S. Hara, and H. I. Fujishiro
  • 学会等名: 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)
  • 発表場所: 神戸
  • 年月日: 2013-05-20
• [学会発表] Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials (2013)
  • 著者名/発表者名: Yutaro Nagai
  • 学会等名: 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013)
  • 発表場所: Kobe Convention Center, Kobe, Japan
• [学会発表] Comparative Study on III-V Nanoscale DG MOSFETs with Various Channel Materials (2013)
  • 著者名/発表者名: Akio Nishida
  • 学会等名: 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)
  • 発表場所: Kobe Convention Center, Kobe, Japan
• [学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Analysis of Electron Transport in Nano-Scale III-V MOSFETs (2012)
  • 著者名/発表者名: H. I. Fujishiro
  • 学会等名: BIT's 2nd Annual World Congress of Nanoscience and Nanotechnology (Nano-S&T 2012)
  • 発表場所: Qingdao, China.
  • 年月日: 2012-10-26
• [学会発表] InGaAs DG-MOSFETの駆動電流に及ぼすソース/ドレイン拡張領域の影響の解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 西田 明央,長谷川 慶,原 紳介,藤代 博記
  • 学会等名: 電子情報通信学会ソサイエティ大会
  • 発表場所: 富山大学
  • 年月日: 2012-09-11
• [学会発表] III-V DG-MOSFET の駆動電流に及ぼすソース/ドレイン形状の影響に関する理論的解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 長谷川 慶,西田 明央,原 紳介,藤代 博記
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学
  • 年月日: 2012-09-11
• [学会発表] Analysis of Performances of InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation (2012)
  • 著者名/発表者名: J. Sato, Y. Nagai, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, and I. Watanabe
  • 学会等名: 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012)
  • 発表場所: University of California Santa Barbara, USA.
  • 年月日: 2012-08-27
• [学会発表] 量子補正モンテカルロ法による歪み InSb HEMT の遅延時間解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 永井 佑太郎, 佐藤 純, 原 紳介, 藤代博記, 遠藤 聡, 渡邊 一世
  • 学会等名: 電子情報通信学会 ED 研究会
  • 発表場所: 福井大学
  • 年月日: 2012-07-26
• [学会発表] InSb HEMT のデバイス特性に及ぼすラフネス散乱の影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 佐藤 純,荒井 敦志,町田 史晴,原 紳介,藤代 博記,遠藤 聡,渡邊 一世
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] InSb HEMTのデバイス特性に及ぼすラフネス散乱の影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 佐藤純, 荒井敦志, 町田史晴, 原紳介, 藤代博記, 遠藤聡, 渡邊一世
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Analysis of Electron Transport in Nano-Scale III-V MOSFETs (2012)
  • 著者名/発表者名: Hiroki I. Fujishiro
  • 学会等名: BIT's 2st Annual World Congress of Nanoscience and Nanotechnology (Nano-S&T 2012)
  • 発表場所: Qingdao Kempinski Hotel, China
  • 招待講演
• [学会発表] InGaAs DG-MOSFETの駆動電流に及ぼすソース/ドレイン拡張領域の影響の解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 西田 明央
  • 学会等名: 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
  • 発表場所: 富山大学
• [学会発表] III-V DG-MOSFET の駆動電流に及ぼすソース/ドレイン形状の影響に関する理論的解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 長谷川 慶
  • 学会等名: 2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学城北地区・松山大学文教キャンパス
• [学会発表] Analysis of Performances of InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation (2012)
  • 著者名/発表者名: Jun Sato
  • 学会等名: 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012)
  • 発表場所: University of California Santa Barbara, CA, USA
• [学会発表] 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 永井 佑太郎
  • 学会等名: 電子情報通信学会ＥＤ研究会
  • 発表場所: 福井大学 文京キャンパス
• [学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of Nano-Scale III-V MOSFETs (2011)
  • 著者名/発表者名: H. I. Fujishiro
  • 学会等名: BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T(Nano-S&T 2011)
  • 発表場所: Dalian, China.
  • 年月日: 2011-10-23
• [学会発表] 歪みInSb HEMTのモンテカルロ解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 町田 史晴,佐藤 純,原 紳介,藤代 博記,遠藤 聡,渡邊 一世
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-08-29
• [学会発表] 各種チャネル材料を用いた微細III-V MOSFETの特性比較 (2011)
  • 著者名/発表者名: 長谷川 慶,本間 嵩広,原 紳介,藤代 博記
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学.
  • 年月日: 2011-08-29
• [学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects (2011)
  • 著者名/発表者名: S. Hara, F. Machida, J. Sato, H. I.Fujishiro, A. Endo, Y. Yamashita and I. Watanabe
  • 学会等名: 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)
  • 発表場所: Nagaragawa Convention Center, Gifu.
  • 年月日: 2011-08-28
• [学会発表] 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤 純, 町田 史晴, 原 紳介, 藤代 博記
  • 学会等名: 電子情報通信学会ED研究会
  • 発表場所: 長岡技術科学大学
  • 年月日: 2011-07-29
• [学会発表] Strain Effects on Performances in InAs HEMTs (2011)
  • 著者名/発表者名: F. Machida, H. Nishino, J. Sato. H. Watanabe, S. Haraand H. I. Fujishiro
  • 学会等名: 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany.
  • 年月日: 2011-05-22
• [学会発表] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Homma, K. Hasegawa, H. Watanabe, S.Haraand H. I. Fujishiro
  • 学会等名: 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-22
• [学会発表] InAs HEMTの歪効果に関する理論的研究 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤 純,町田 史晴,西野 啓之,原 紳介,藤代 博記
  • 学会等名: 電子情報通信学会総合大会
  • 発表場所: 東京都市大
• [学会発表] InAs HEMTの歪効果に関するモンテカルロ解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 町田 史晴,佐藤 純,西野 啓之,原 紳介,藤代 博記
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大
• [学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of Nano-Scale III-V MOSFETs (2011)
  • 著者名/発表者名: Hiroki Fujishiro
  • 学会等名: BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T
  • 発表場所: World EXPO Center, Dalian, China
• [学会発表] 歪みInSb HEMTのモンテカルロ解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 町田史晴, 佐藤純, 原紳介, 藤代博記, 遠藤聡, 渡邊一世
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
• [学会発表] 各種チャネル材料を用いた微細III-V MOSFETの特性比較 (2011)
  • 著者名/発表者名: 長谷川慶, 本間嵩広, 原紳介, 藤代博記
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
• [学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Hara, F.Machida, J Sato, H.I.Fujishiro, H.Endo, Y.Yamashita, I.Watanabe
  • 学会等名: 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)
  • 発表場所: Nagaragawa Convention Center, Gifu, Japan
• [学会発表] 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤純, 町田史晴, 原紳介, 藤代博記
  • 学会等名: 電子情報通信学会ED研究会
  • 発表場所: 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター
• [学会発表] Strain Effects on Performances in InAs HEMTs (2011)
  • 著者名/発表者名: F.Machida, H.Nishino, J.Sato, H.Watanabe, S.Hara, H.I.Fujishiro
  • 学会等名: 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)
  • 発表場所: Maritim proArte Hotel, Berlin, Germany
• [学会発表] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs witn Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Homma, K.Hasegawa, H.Watanabe, S.Hara, H.I.Fujishiro
  • 学会等名: 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
  • 発表場所: Maritim proArte Hotel, Berlin, Geriany
• [学会発表] InAs HEMTの歪効果に関する理論的研究 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤純, 町田史晴, 西野啓之, 原紳介, 藤代博記
  • 学会等名: 電子情報通信学会総合大会
  • 発表場所: 東京都市大学(但し震災によりDVDのみによる発表)
• [学会発表] InAs HEMTの歪効果に関するモンテカルロ解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 町田史晴, 佐藤純, 西野啓之, 原紳介, 藤代博記
  • 学会等名: 応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大(但し震災によりDVDのみによる発表)
• [学会発表] 量子補正モンテカルロ法によるInGaAs MOSFETの電子輸送解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 藤代博記
  • 学会等名: 電気学会調査専門委員会「グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス」研究会
  • 発表場所: 法政大学マイクロ・ナノテクノロジーセンタ
  • 年月日: 2010-11-22
• [学会発表] 量子補正モンテカルロ法によるInGaAs MOSFETの電子輸送解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 藤代博記
  • 学会等名: 電気学会調査専門委員会「グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス」研究会
  • 発表場所: 法政大学
  • 年月日: 2010-11-12
• [学会発表] Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs (2010)
  • 著者名/発表者名: H. I. Fujishiro, H. Watanabe, T. Homma and S. Hara
  • 学会等名: International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)
  • 発表場所: Shanghai, China.
  • 年月日: 2010-11-03
• [学会発表] Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs (2010)
  • 著者名/発表者名: H.I.Fujishiro, H.Watanabe, T.Homma, S.Hara
  • 学会等名: International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)
  • 発表場所: InterContinental Hotel, Shanghai, China
  • 年月日: 2010-11-03
• [学会発表] InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の理論的解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 渡邉 久巨,本間 嵩広,原 紳介,藤代 博記
  • 学会等名: 電子情報通信学会ソサイエティ大会
  • 発表場所: 大阪府立大学
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の影響の解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 本間 嵩広,渡邉 久巨,原 紳介,藤代 博記
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学.
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 格子整合系歪みInAs HEMTのモンテカルロ解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 町田 史晴,西野 啓之,原 紳介,藤代 博記
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の影響の解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 本間嵩広, 渡邉久巨, 原紳介, 藤代博記
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 格子整合系歪みInAs HEMTのモンテカルロ解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 町田史晴, 西野啓之, 原紳介, 藤代博記
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] InGaAs-ChannelMOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 本間 嵩広,渡邉 久巨,原 紳介,藤代 博記
  • 学会等名: 電子情報通信学会ED研究会
  • 発表場所: 北陸先端科学技術大学院大学.
  • 年月日: 2010-06-18
• [学会発表] InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 本間嵩広, 渡邉久巨, 原紳介, 藤代博記
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 北陸先端科学技術大学院大学
  • 年月日: 2010-06-18
• [学会発表] Monte Carlo Study of Strain Effect on High Field Electron Transport in InAs and InSb (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Nishino, I. Kawahira, F. Machida, S. Haraand H. I. Fujishiro
  • 学会等名: 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
  • 発表場所: Kagawa.
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] Monte Carlo Study of Strain Effect on High Field Electron Transport in InAs and InSb (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Nishino, I.Kawahira, F.Machida, S.Hara, H.I.Fujishira
  • 学会等名: 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
  • 発表場所: Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, T. Homma, T. Takegishi, Y. Hirasawa, Y. Hirata, S. Haraand H. I. Fujishiro
  • 学会等名: 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)
  • 発表場所: Kagawa.
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe, T.Homma, T.Takegishi, Y.Hirasawa, Y.Hirata, S.Hara, H.I.Fujishiro
  • 学会等名: 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)
  • 発表場所: Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan
  • 年月日: 2010-06-01
• [備考]
  • URL: http://www.te.noda.tus.ac.jp/pub/labs/fujisiro/index-j.html
• [備考]
  • URL: http://www.tus.ac.jp/fac_grad/p/index.php?37a7
• [備考]
  • URL: http://www.tus.ac.jp/fac_grad/p/index.php?A14247
• [備考]
  • URL: http://www.te.noda.tus.ac.jp/pub/labs/fujisiro/index-j.html
• [備考]
  • URL: http://www.tus.ac.jp/fac_grad/p/index.php?A14247
• [備考]
  • URL: http://www.te.noda.tus.ac.jp/pub/labs/fujisiro/index-j.html