| 研究課題/領域番号 |
22560691
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
構造・機能材料
|
|---|
| 研究機関 | 横浜国立大学 |
|---|
研究代表者 |
中津川 博 横浜国立大学, 工学研究院, 准教授 (40303086)
|
|---|
| 研究分担者 |
岡本 庸一 防衛大学校, 電気情報学群, 准教授 (10546063)
|
|---|
| 連携研究者 |
山口 作太郎 中部大学, 超電導・持続可能エネルギー研究センター, 教授 (10249964)
河原 敏男 中部大学, 超電導・持続可能エネルギー研究センター, 教授 (80437350)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
|
| 配分額 *注記 |
2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2010年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
|
|---|
| キーワード | 熱 / エネルギー材料 / 電子デバイス・機器 / 廃熱利用 / 熱電変換 / ペルチェ冷却 / 自己冷却 / 熱伝導率 / ゼーベック係数 / 電気伝導率 / 熱電発電 |
|---|
| 研究概要 |
金属、金属間化合物、酸化物、半導体などには熱電発電や熱電冷却を実現する材料が存在する。本研究はSiウェハを用いて、従来から利用されて来た熱伝導に加え、ペルチェ吸熱を利用した新たな冷却手段を提案し、パワーデバイスの発熱を低減化するための自己冷却デバイスを開発することを目的とする。特に、ドレイン電流40Aの時に、MOSFET上部で約2℃の自己冷却効果を確認し、自己冷却デバイスの実用化の為の基礎データを蓄積することに成功した。
|
