III－V ＣＭＯＳ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓの創生

• 研究課題/領域番号: 22686034
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 竹中 充 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (20451792)
• 研究期間 (年度): 2010-04-01 – 2014-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2013年度)
• 配分額: 25,740千円 (直接経費: 19,800千円、間接経費: 5,940千円); 2013年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円); 2012年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円); 2011年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円); 2010年度: 10,920千円 (直接経費: 8,400千円、間接経費: 2,520千円)
• キーワード: 光電子集積回路 / CMOSフォトニクス / 細線導波路 / 光変調器 / 受光器 / InGaAs MOSFET / 基板貼り合せ / III-V-OI基板 / 光集積回路 / 光スイッチ / 化合物半導体 / MOSトランジスタ / 基板貼り合わせ / CMOS photonics / III-V MOSFET

研究概要

基板貼り合せ技術を用いたIII-V-on-Insulator（III-V-OI）基板作製技術を確立することで、III-V-OI基板を用いたInP系細線導波路パッシブデバイスに加えて、高性能光変調器・スイッチ、導波路型受光器の動作実証に世界で初めて成功した。また、III-V-OI基板上へのInGaAs MOSトランジスタの作製技術の確立にも成功した。
この結果、III-V-OI基板上に超小型III-V族半導体細線導波路光デバイスと超高性能III-V族半導体CMOSトランジスタをモノリシック集積可能なIII-V CMOS photonicsプラットフォームの基盤技術の実証に成功した。

研究成果

• [雑誌論文] III-V CMOS フォトニクスを用いた光電子融合集積回路プラットフォーム技術 (2014)
  • 著者名/発表者名: 竹中充, 一宮佑希, 程勇鵬, 金相賢, 高木 信一
  • 雑誌名: 電子情報通信学会和文論文誌C 巻: vol.J97-C, No.3 ページ: 95-103
• [雑誌論文] Physical understanding of electron mobility in asymmetrically strained InGaAs-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated by lateral strain relaxation (2014)
  • 著者名/発表者名: S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 104 号: 11 ページ: 113509-113509
  • DOI: 10.1063/1.4869221
  • 査読あり
• [雑誌論文] III-V CMOSフォトニクスを用いた光電子融合集積回路プラットフォーム技術 (2014)
  • 著者名/発表者名: 竹中充，一宮佑希，程勇鵬，金相賢，高木 信一
  • 雑誌名: 電子情報通信学会和文論文誌C 巻: J97-C ページ: 95-103
  • 査読あり
• [雑誌論文] ductor-compatible IIInGaAsP grating couplers fabricated using complementary-metal-oxide-semiconI-V-on-insulator on Si (2013)
  • 著者名/発表者名: Mitsuru Takenaka, Masafumi Yokoyama, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Shinichi Takagi
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: vol. 6 号: 4 ページ: 42501-42501
  • DOI: 10.7567/apex.6.042501
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of Fermi level pinning due to interface traps inside conduction band on the inversion-layer mobility in InxG_a_<1-x> As metal-oxide-semiconductor field effect transistors (2013)
  • 著者名/発表者名: N. Taoka, M. Yokoyama, S. -H. Kim, R. Suzuki, S. Lee, R. Iida, T. Hoshii, W. Jevasuwan, T. Maeda, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 雑誌名: IEEE Transactions on device and materials reliability 巻: 13 号: 4 ページ: 456-462
  • DOI: 10.1109/tdmr.2013.2289330
  • 査読あり
• [雑誌論文] Invited : Performance enhancement technologies in III-V/Ge MOSFETs Ge-based and III-V technologies (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, Rui Zhang, S. -H. Kim, M. Yokoyama, and M. Takenaka
  • 雑誌名: ECS Trans. 巻: VOL. 59 号: 9 ページ: 137-148
  • DOI: 10.1149/05809.0137ecst
  • 査読あり
• [雑誌論文] Invited : III-V/Ge MOS transistor technologies for future ULSI future IC technology and novel devices (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi and M. Takenaka
  • 雑誌名: ECS Trans. 巻: VOL. 54 号: 1 ページ: 39-54
  • DOI: 10.1149/05401.0039ecst
  • 査読あり
• [雑誌論文] Biaxially strained Extremely-thin Body I_<n0.53>G_<a0.47>As-On-Insulator MOSFETs on Si substrates and Physical Understanding on their electron mobility (2013)
  • 著者名/発表者名: S. -H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 114 号: 16 ページ: 164512-164512
  • DOI: 10.1063/1.4828481
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of Fermi level pinning inside conduction band on electron mobility in InGaAs metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (2013)
  • 著者名/発表者名: N. Taoka, M. Yokoyama, S. -H. Kim, R. Suzuki, S. Lee, R. Iida, T. Hoshii, W. Jevasuwan, T. Maeda, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 103 号: 14 ページ: 143509-143509
  • DOI: 10.1063/1.4824474
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low-driving-current InGaAsP photonic-wire optical switches using III-V CMOS photonics platform (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Ikku, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 雑誌名: Optics Express Letters 巻: vol.20, no.26 号: 26 ページ: B357-B357
  • DOI: 10.1364/oe.20.00b357
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electron mobility enhancement of extremely thin body In_<0.7>Ga_<0.3>As-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on Si substrates by metal-oxide-semiconductor interface buffer layers (2012)
  • 著者名/発表者名: S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 巻: Vol.5 号: 1 ページ: 14201-14201
  • DOI: 10.1143/apex.5.014201
  • NAID: 10030154895
  • 査読あり
• [雑誌論文] High performance extremely thin body InGaAs-on-insulator metal-oxide semiconductor field-effect transistors on Si substrates with Ni-InGaAs metal source/drain (2011)
  • 著者名/発表者名: S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 巻: Vol.4 号: 11 ページ: 114201-114201
  • DOI: 10.1143/apex.4.114201
  • NAID: 10030153611
  • 査読あり
• [学会発表] Ultra-small, low-crosstalk, electrically-driven InGaAsP photonic-wire optical switches on III-V CMOS photonics platform (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Ikku, M.Yokoyama, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 学会等名: Optical Fiber Communication Conference (OFC2014)
  • 発表場所: San Francisco
  • 年月日: 2014-03-13
• [学会発表] High performance sub-20-nm-channel-length extremely-thin body InAs-on-Insulator tri-gate MOSFETs with high short channel effect immunity and Vth tunability (2013)
  • 著者名/発表者名: S.-H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, M. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: International Electron Devices Meeting (IEDM'13)
  • 発表場所: Washington D. C
  • 年月日: 2013-12-10
• [学会発表] III-V/Ge device engineering for CMOS photonics (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (THERMEC2013)
  • 発表場所: Las Vegas
  • 年月日: 2013-12-03
  • 招待講演
• [学会発表] Heterogeneous integration for CMOS photonics (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: 3rd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2013)
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2013-11-20
  • 招待講演
• [学会発表] Waveguide InGaAs MSM photodetector for chip-scale optical interconnects on III-V CMOS photonics platform (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Cheng, Y. Ikku, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 学会等名: Asia Communications and Photonics Conference (ACP2013)
  • 発表場所: Beijin
  • 年月日: 2013-11-14
• [学会発表] Low-crosstalk 2 × 2 InGaAsP photonic-wire optical switches using III-V CMOS photonics platform (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Ikku, M. Yokoyama, N. Noguchi, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 学会等名: European Conference on Optical Communication (ECOC'13)
  • 発表場所: London
  • 年月日: 2013-09-24
• [学会発表] Ultra-thin body MOS device technologies using high mobility channel materials (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, S.-H. Kim, M. Yokoyama, W.-K. Kim, R. Zhang and M. Takenaka, “Ultra-thin body MOS device technologies using high mobility channel materials
  • 学会等名: IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
  • 発表場所: Hyatt Regency Monterey Hotel, Monterey, USA
  • 招待講演
• [学会発表] III-V CMOSフォトニクスを用いた低電流駆動光スイッチ (2013)
  • 著者名/発表者名: 一宮佑希，横山正史，市川磨，秦雅彦，竹中充，高木信一
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学、神奈川
• [学会発表] III-V CMOSフォトニクスプラットフォームと光インターコネクションへの展開 (2013)
  • 著者名/発表者名: 竹中充，一宮佑希，キムサンヒョン，横山正史，高木信一
  • 学会等名: 電子情報通信学会総合大会
  • 発表場所: 岐阜大学、岐阜
  • 招待講演
• [学会発表] III-V CMOSフォトニクスを用いたInGaAsP細線導波路光スイッチ (2013)
  • 著者名/発表者名: 一宮佑希，横山正史，市川磨，秦雅彦，竹中充，高木信一
  • 学会等名: 電子情報通信学会総合大会
  • 発表場所: 岐阜大学、岐阜
  • 招待講演
• [学会発表] Low-driving-current InGaAsP photonic-wire optical switches using III-V CMOS photonics platform (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Ikku, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 学会等名: European Conference on Optical Communication (ECOC'12)
  • 発表場所: Amsterdam
  • 年月日: 2012-09-18
• [学会発表] III-V/Ge integration on Si platform for electronic-photonic integrated circuits (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD'12)
  • 発表場所: Naha
  • 年月日: 2012-06-29
  • 招待講演
• [学会発表] Propagation-loss reduction in InGaAsP photonic-wire waveguides by InP and Al_2O_3 passivation layers (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Ikku, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: 16th European Conference on Integrated Optics (ECIO'12)
  • 発表場所: Barcelona
  • 年月日: 2012-04-18
• [学会発表] InGaAsP photonic-wire Mach-Zehnder interferometer switches fabricated on III-V CMOS photonics platform (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Ikku, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 学会等名: 2nd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence
  • 発表場所: The University of Tokyo, Tokyo
• [学会発表] Low-driving-current InGaAsP photonic-wire optical switches using III-V CMOS photonics platform (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Ikku, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 学会等名: European Conference on Optical Communication
  • 発表場所: Amsterdam, Netherland
• [学会発表] III-V/Ge integration on Si platform for electronic-photonic integrated circuits (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
  • 発表場所: Okinawa Seinen-kaikan, Okinawa
  • 招待講演
• [学会発表] Sub-60 nm deeply-scaled channel length extremely-thin body InxGa1-xAs-on-insulator MOSFETs on a Si with Ni-InGaAs metal S/D and MOS interface buffer Engineering (2012)
  • 著者名/発表者名: S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: VLSI Symposium
  • 発表場所: Honolulu, United Sates of America
• [学会発表] Propagation-loss reduction in InGaAsP photonic-wire waveguides by InP and Al2O3 passivation layers (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Ikku, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: European Conference on Integrated Optics
  • 発表場所: Barcelona, Spain
• [学会発表] InPとAl2O3パッシベーションによるInGaAsP細線導波路の損失改善 (2012)
  • 著者名/発表者名: 一宮佑希、横山正史、市川磨、秦雅彦、竹中充、高木信一
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学、愛媛
• [学会発表] 高性能光電子集積回路に向けたIII-V CMOSフォトニクスプラットフォーム技術 (2012)
  • 著者名/発表者名: 竹中充、一宮佑希、キムサンヒョン、横山正史、高木信一
  • 学会等名: 電子情報通信学会ソサイエティ大会
  • 発表場所: 富山大学、富山
  • 招待講演
• [学会発表] III-V on Silicon for high-speed electronics and CMOS photonics (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'11)
  • 発表場所: Berlin
  • 年月日: 2011-05-23
  • 招待講演
• [学会発表] III-V CMOS technologies on Si platform (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: MRS Spring Meeting
  • 発表場所: San Francisco
  • 年月日: 2011-04-27
  • 招待講演
• [学会発表] ALD Al2O3を用いたIII-V CMOS Photonics用貼り合わせ基板の特性改善 (2011)
  • 著者名/発表者名: 一宮佑希、横山正史、飯田亮、杉山正和、中野義昭、竹中充、高木信一
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] Enhancement technologies and physical understanding of electron mobility in III-V n-MOSFETs with strain and MOS interface buffer engineering (2011)
  • 著者名/発表者名: S.H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, M. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: International Electron Devices Meeting
  • 発表場所: Washington D.C., United States of America
• [学会発表] High performance extremely-thin body III-V-on-insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D and MOS interface buffer engineering (2011)
  • 著者名/発表者名: S.H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: VLSI Symposium
  • 発表場所: Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto
• [学会発表] III-V on Silicon for high-speed electronics and CMOS photonics (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: Indium Phosphide and Related Materials
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 招待講演
• [学会発表] ALD Al2O3 activated direct wafer bonding for III-V CMOS photonics platform (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Ikku, M. Yokoyama, R. Iida, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: Indium Phosphide and Related Materials
  • 発表場所: Berlin, Germany
• [学会発表] III-V CMOS technologies on Si platform (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: MRS Spring Meeting
  • 発表場所: San Francisco, United States of America
  • 招待講演
• [学会発表] メタルS/D 構造及びMOS interface buffer 層の導入による極薄膜 InGaAs-OI MOSFET の高性能化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 金相賢、横山正史、田岡紀之、飯田亮、李成薫、中根了昌、卜部友二、宮田典幸、安田哲二、山田永、福原昇、秦雅彦、竹中充、高木信一
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学、山形
• [学会発表] III-V CMOS photonicsプラットフォーム実現に向けたグレーティングカプラの作製 (2010)
  • 著者名/発表者名: 竹中充、横山正史、杉山正和、中野義昭、高木信一
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術 (2010)
  • 著者名/発表者名: 竹中充、横山正史、杉山正和、中野義昭、高木信一
  • 学会等名: 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 千歳アルカディアプラザ
  • 年月日: 2010-08-26
• [学会発表] Ultra-small, low-crosstalk, electrically-driven InGaAsP photonic-wire optical switches on III-V CMOS photonics platform
  • 著者名/発表者名: Y. Ikku, M.Yokoyama, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 学会等名: Optical Fiber Communication Conference
  • 発表場所: Moscone center, San Francisco, USA
• [学会発表] High performance sub-20-nm-channel-length extremely-thin body InAs-on-Insulator tri-gate MOSFETs with high short channel effect immunity and Vth tunability
  • 著者名/発表者名: S.-H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, M. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: International Electron Devices Meeting
  • 発表場所: Washington Hilton, Washington D. C., USA
• [学会発表] III-V/Ge device engineering for CMOS photonics
  • 著者名/発表者名: M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
  • 発表場所: Rio Hotel, Las Vegas, USA
  • 招待講演
• [学会発表] Heterogeneous integration for CMOS photonics
  • 著者名/発表者名: M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: 3rd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence
  • 発表場所: Eneos Hall, Meguro-ku, Tokyo
  • 招待講演
• [学会発表] Reduction in crosstalk of carrier-injection mach-zehnder interferometer optical switches by using III-V CMOS photonics platform
  • 著者名/発表者名: Y. Ikku, M. Yokoyama, M. Noguchi, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 学会等名: 3rd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence
  • 発表場所: Eneos Hall, Meguro-ku, Tokyo
• [学会発表] Waveguide InGaAs MSM photodetector for chip-scale optical interconnects on III-V CMOS photonics platform
  • 著者名/発表者名: Y. Cheng, Y. Ikku, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 学会等名: Asia Communications and Photonics Conference
  • 発表場所: Beijing International Convention Center, Beijin, China
• [学会発表] Performance enhancement technologies in III-V/Ge MOSFETS
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, R. Zhang, S.-H. Kim, M. Yokoyama, M. Takenaka
  • 学会等名: 224th ECS Meeting
  • 発表場所: The Hilton San Francisco Hotel, San Francisco, USA
  • 招待講演
• [学会発表] High mobility CMOS technologies using III-V/Ge channels
  • 著者名/発表者名: S. Takagi and M. Takenaka
  • 学会等名: IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference
  • 発表場所: National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan
  • 招待講演
• [学会発表] Physical understanding of electron mobility in uniaxially strained InGaAs-OI MOSFETs
  • 著者名/発表者名: S.-H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 学会等名: 43rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC’13)
  • 発表場所: Marriott Bucharest Grand Hotel, Bucharest, Romaina
• [学会発表] Low-crosstalk 2 x 2 InGaAsP photonic-wire optical switches using III-V CMOS photonics platform
  • 著者名/発表者名: Y. Ikku, M. Yokoyama, N. Noguchi, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 学会等名: European Conference on Optical Communication
  • 発表場所: the ExCeL centre, London, UK
• [学会発表] III-V/Ge MOS transistor technologies for future ULSI
  • 著者名/発表者名: Shinichi Takagi and Mitsuru Takenaka
  • 学会等名: International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors
  • 発表場所: Grand Hotel de Paris, Grenoble, France
  • 招待講演
• [学会発表] Strained extremely-thin body In0.53Ga0.47As-On-Insulator MOSFETs on Si substrates
  • 著者名/発表者名: S. H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 学会等名: VLSI Symposium
  • 発表場所: Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto, Kyoto
• [学会発表] High performance extremely-thin body InAs-On-Insulator MOSFETs on Si with Ni-InGaAs metal S/D by contact resistance reduction technology
  • 著者名/発表者名: S. H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 学会等名: VLSI Symposium
  • 発表場所: Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto, Kyoto
• [学会発表] Analysis on channel thickness fluctuation scattering in InGaAs-OI MOSFETs
  • 著者名/発表者名: S. H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: Indium Phosphide and Related Materials
  • 発表場所: Kobe Convention Center, Kobe, Hyogo
• [学会発表] InGaAsP細線導波路光スイッチにおける低クロストーク動作
  • 著者名/発表者名: 一宮佑希, 横山正史, 野口宗隆, 市川磨, 長田剛規, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県相模原市）
• [学会発表] II-V CMOSフォトニクス•プラットフォーム上導波路型InGaAs MSMフォトディテクタの作製
  • 著者名/発表者名: 程勇鵬, 一宮佑希, 市川磨, 長田剛規, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県相模原市）
• [学会発表] 量子井戸インターミキシグを用いた III-V CMOSフォトニクス用マルチバンドギャップ貼り合せ基板の作製
  • 著者名/発表者名: 倉持美沙，竹中充，一宮佑希，高木信一
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県相模原市）
• [学会発表] 異種半導体集積CMOSおよびフォトニクス融合への展望
  • 著者名/発表者名: 竹中充
  • 学会等名: 光産業技術振興協会第4回フォトニックデバイス・応用技術研究会
  • 発表場所: 上智大学（東京都千代田区）
  • 招待講演
• [学会発表] 異種半導体集積を用いたCMOSフォトニクス
  • 著者名/発表者名: 竹中充、高木信一
  • 学会等名: レーザー学会第34回年次大会
  • 発表場所: 北九州国際会議場（福岡県北九州市）
  • 招待講演
• [学会発表] nGaAsP細線導波路光スイッチに向けたZn拡散によるp+InGaAsPの形成
  • 著者名/発表者名: 一宮佑希，野口宗隆，横山正史，市川 磨，長田剛規，秦 雅彦，竹中 充，高木信一
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス（京都府京田辺市）
• [学会発表] III-V/Ge CMOSフォトニクス実現に向けたデバイス技術
  • 著者名/発表者名: 竹中 充，高木信一
  • 学会等名: 電気化学会電子材料委員会第77回半導体・集積回路技術シンポジウム
  • 発表場所: 東京工業大学（東京都目黒区）
  • 招待講演
• [備考] 高木竹中研究室ホームページ
  • URL: http://www.mosfet.k.u-tokyo.ac.jp/
• [備考] 高木竹中研究室ホームページ
  • URL: http://www.mosfet.k.u-tokyo.ac.jp/research/index.html
• [備考] 高木・竹中研究室
  • URL: http://www.mosfet.k.u-tokyo.ac.jp/
• [備考] http://www.mosfet.k.u-tokyo.ac.jp/
• [備考]
  • URL: http://www.mosfet.k.u-tokyo.ac.jp/