| 研究課題/領域番号 |
22760013
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 近畿大学 |
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研究代表者 |
西川 博昭 近畿大学, 生物理工学部, 准教授 (50309267)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2011年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2010年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | エピタキシャル成長 / フレキシブルデバイス / 機能性酸化物 / エピタキシャル薄膜 / 圧電体 |
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| 研究概要 |
本研究では圧電体や強誘電体など機能酸化物のエピタキシャル薄膜を高分子製フレキシブル基板上に形成するための基礎を確立することを目的とする。高分子製フレキシブル基板は耐熱1生に乏しく、機能性酸化物をエピタキシャル成長させるために必要な数100℃以上の加熱に耐えることができないため、耐熱性に優れるMgO基板上に良質の薄膜を作製したのち、これを高分子製フレキシブル基板に接着してからMgO基板を除去するという新しい作製プロセスを提案し、遷移金属酸化物のエピタキシャル薄膜をフレキシブル化するための基礎を確立した。
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