| 研究課題/領域番号 |
22810021
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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| 研究機関 | 福島工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
磯上 慎二 福島工業高等専門学校, 一般教科, 准教授 (10586853)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,003千円 (直接経費: 2,310千円、間接経費: 693千円)
2011年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2010年度: 1,573千円 (直接経費: 1,210千円、間接経費: 363千円)
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| キーワード | 窒化鉄 / スピン / 磁性 / 電流誘起磁化反転 / 磁気抵抗効果 / 磁気緩和 / 強磁性共鳴 / スピントロニクス / インバース電流誘起磁化反転 / スピントルクトランスファー / 強磁性トンネル接合膜 |
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| 研究概要 |
インバース電流誘起磁化反転現象は,働くスピントルクの方向が磁化固定層のスピン分極率の符号で決まるとする従来の理論では説明がつかない現象で,新たに磁化自由層も反映する可能性があることを示した.強磁性共鳴を用いたところFe4N薄膜の磁気緩和定数は0.007であることが判った.同手法にてスピンポンピング効果を検討したところ, Fe薄膜の場合よりスピンポンピング効果のエンハンスが確認された.これはFe4N薄膜が有するマイノリティースピン伝導を反映していると結論付けた.
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