| 研究課題/領域番号 |
22K14500
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分26040:構造材料および機能材料関連
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
小椋 優 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (70908152)
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2024-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2023年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2023年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2022年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 転位 / 光吸収特性 / 塑性変形 / 無機結晶 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
近年の理論解析により，代表的なII-VI族化合物半導体の1つである硫化亜鉛（ZnS）において，転位がキャリアをトラップすることにより原子・電子構造を変化させうることが明らかとなってきた．一方で，キャリアトラップ時の転位コアにおける原子・電子構造変化について実験的な観測は未だ行われていない．そこで本研究では，転位を導入した無機半導体結晶について光吸収特性評価を実施し，光励起による転位の電子構造変化について観測を試みる．
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| 研究成果の概要 |
結晶中に存在する線状の結晶格子欠陥を「転位」という．近年の理論解析により，II-VI族化合物半導体の1つである硫化亜鉛（ZnS）中の転位において，その原子・電子構造が，キャリアをトラップすることで変化することがわかってきた．そこで本研究では，外部からの光照射に応答して変化する転位の電子構造について，光吸収測定を用いた実験的な観測に挑戦し，これに成功した．
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
第一原理を用いた理論計算により，硫化亜鉛を含むII-VI族化合物半導体中の転位において，キャリアトラップにより，その原子・電子構造が変化することが明らかになってきた．こうした転位の原子・電子構造変化は，機械特性にとどまらず，様々な機能特性発現の起源となりうる．一方で，その実験的な観測はこれまで実施されてこなかった．本研究により，光励起による転位の電子構造変化の実験的な評価が可能となった．
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