| 研究課題/領域番号 |
23000010
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| 研究種目 |
特別推進研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
田中 雅明 東京大学, 大学院工学系研究科, 教授 (30192636)
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| 研究分担者 |
大矢 忍 東京大学, 大学院工学系研究科, 准教授 (20401143)
中根 了昌 東京大学, 大学院工学系研究科, 特任准教授 (50422332)
ファム ナムハイ (ファムナム ハイ) 東京工業大学, 工学院, 准教授 (50571717)
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| 研究協力者 |
パルムストロム クリス カリフォルニア大学, 材料科学科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2015
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
539,110千円 (直接経費: 414,700千円、間接経費: 124,410千円)
2015年度: 53,040千円 (直接経費: 40,800千円、間接経費: 12,240千円)
2014年度: 90,870千円 (直接経費: 69,900千円、間接経費: 20,970千円)
2013年度: 101,140千円 (直接経費: 77,800千円、間接経費: 23,340千円)
2012年度: 160,420千円 (直接経費: 123,400千円、間接経費: 37,020千円)
2011年度: 133,640千円 (直接経費: 102,800千円、間接経費: 30,840千円)
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| キーワード | スピン / スピントロニクス / 磁性半導体 / 共鳴トンネル効果 / バンドエンジニアリング / スピン依存伝導 / トンネル磁気抵抗効果 / スピントランジスタ / 強磁性半導体 / 量子井戸 / 波動関数工学 / LED / スピンMOSFET / 半導体 / 分子線エピタキシー / 共鳴トンネル / 強磁性体 / ナノ微粒子 / トンネル効果 / 不揮発性 / 再構成可能 / デバイス |
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| 研究成果の概要 |
半導体材料とデバイス構造中に磁性元素や強磁性材料を取り込み、キャリアの電荷輸送に加えて「スピン自由度」をも活用する新しい強磁性半導体および強磁性体/半導体複合構造材料を作製し、様々な物性機能を発現させることに成功した。それらの材料を用いたスピン自由度による機能を有する新しい半導体スピントロニクスデバイス(スピントランジスタ)を提案・作製し、その動作原理を実証した。これらの材料やデバイスの研究開発によって、不揮発性メモリ機能と合わせて再構成可能な論理回路に応用できる道筋を示した。
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| 評価記号 |
検証結果 (区分)
A
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評価記号 |
評価結果 (区分)
A: 当初目標に向けて順調に研究が進展しており、期待どおりの成果が見込まれる
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