配分額 *注記 |
18,980千円 (直接経費: 14,600千円、間接経費: 4,380千円)
2015年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2014年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2013年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2012年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
2011年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
|
研究成果の概要 |
新たな高圧合成システムを開発し、高圧環境下における試料の合成条件、単結晶育成条件を迅速に決定する技術を確立した。これにより、効率的な新物質探索が可能となった。新たに開発した高圧技術を駆使して、リン化合物、ヒ素化合物を中心とした新奇希土類プニクタイドの試料合成を行い、層状希土類リン化物やアルカリ土類金属元素を充填したリン系充填スクッテルダイト化合物の新物質を含む多くの純良試料の合成に成功した。さらに、本研究ではじめて合成に成功した新物質 BaOs4P12, CaOs4P12, SrOs4P12 が、いずれも新超伝導体であることを発見した。
|