研究課題
基盤研究(B)
分子軌道エネルギーおよび分子間相互作用を考慮して、ヘテロ環化合物を基本骨格としたπ拡張電子系を設計・合成して新規なn型半導体を開発し、これらを活性層とする薄膜トランジスタを作製した。例えば、含窒素へテロ環化合物に電子受容性の置換基と長鎖アルキル基を導入することで大気下で駆動するトランジスタを溶液プロセスで作製出来た。また、非対称や非平面構造の新規ヘテロ環化合物が薄膜太陽電池のn型半導体として作動することを見つけた。
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