| 研究課題/領域番号 |
23360054
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
機械材料・材料力学
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
神谷 庄司 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (00204628)
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| 連携研究者 |
佐藤 一雄 愛知工業大学, 工学研究科, 教授 (30262851)
中島 正博 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (80377837)
泉 隼人 名古屋工業大学, 工学研究科, 助教 (90578337)
森谷 智一 名古屋工業大学, 工学研究科, 助教 (50362322)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2013年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2012年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2011年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
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| キーワード | シリコン / MEMS / 疲労試験 / 圧縮応力 / TEM / その場観察 / 透過型電子顕微鏡 / EBIC / 再結合欠陥 / 透過電子顕微鏡 / 共振デバイス |
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| 研究概要 |
本研究は、シリコンの疲労メカニズムを解明するため、TEM 内で疲労試験を実施し初期欠陥から疲労破壊に至るまでのプロセスを直視することを目的とした。櫛歯型アクチュエータを援用した圧縮・引張試験デバイスをSOI-MEMS技術により製作した。真空環境下でテスト構造に駆動電圧を印加し動作を確認した。応力比を任意に制御した疲労試験のため、ロードセル、ピエゾアクチュエータ、静電プローブを組み込んだTEMホルダを開発した。繰返し圧縮荷重によりシリコン結晶内部の再結合中心となる欠陥集積を電子線誘起電流イメージングで確認し、本欠陥がシリコンの破壊強度の低下に深く関連することを見出した。
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