| 研究課題/領域番号 |
23360146
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
李 康旭 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (90534503)
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| 研究分担者 |
福島 誉史 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 准教授 (10374969)
田中 徹 東北大学, 大学院・医工学研究科, 教授 (40417382)
裵 志哲 (〓 志哲 / ベ ジチョル) 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 助教 (40509874)
ムルゲサン マリアッパン (MURUGESAN Mariappan / マリアッパン ムルゲサン) 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 産学官連携研究員 (10509699)
裴 艶麗 東北大学, 国際高等研究教育機構, 助教 (70451622)
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| 連携研究者 |
小柳 光正 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (60205531)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
19,630千円 (直接経費: 15,100千円、間接経費: 4,530千円)
2013年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2012年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
2011年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
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| キーワード | 複合Siウェハ / ヘテロＣＭＯＳトランジスタ / セルフアセンブリー張り合わせ / 複合Ｓｉウェハ / セルフアセンブリー張り合わせる / ヘテロCMOSトランジスタ / 複合ウェハ |
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| 研究概要 |
本研究では、InGaAsを用いてNMOSトランジスタを、Geを用いてPMOSトランジスタを大口径Siウェハ上に混在させて、低コストで高性能・低電力ヘテロCMOSトランジスタを作製できる新しい技術を創出した。Siウェハ上にInGaAsとGe化合物半導体チップを高い位置合わせ精度(<1um)と接合強度で(20MPa)張り合わせる出来るセルフアセンブリー技術を開発した。ヘテロCMOSトランジスタ実現の鍵を握る浅いp-n接合を形成するためのイオン打ち込みとアニール技術を確立した。Siウェハ上に張り合わしたGeおよびInGaAsチップからなるフォトダイオードを試作し、基本動作を確認した。
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