| 研究課題/領域番号 |
23360161
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 慶應義塾大学 |
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研究代表者 |
小原 實 慶應義塾大学, 理工学部, 名誉教授 (90101998)
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| 研究分担者 |
斎木 敏治 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (70261196)
津田 裕之 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (90327677)
寺川 光洋 慶應義塾大学, 理工学部, 専任講師 (60580090)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
20,020千円 (直接経費: 15,400千円、間接経費: 4,620千円)
2013年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2012年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2011年度: 11,440千円 (直接経費: 8,800千円、間接経費: 2,640千円)
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| キーワード | ナノプロセシング / ミー散乱 / 表面プラズモニック散乱 / 散乱近接場・遠方場 / フェムト秒レーザー / 表面周期構造 / FDTD法 / フェムト秒レーザ / 表面周期構造作製 / 近接場光加工 / 表面プラズモン / 近接場光トラップ / 表面周期リップル / プラズモン制御 / フェムト秒レーザプロセシング |
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| 研究概要 |
微小構造からの散乱近接場光は局在し、フェムト秒レーザー励起光強度より増強近接場強度となり、ナノプロセシングが可能となる。本研究は、照射方式、散乱体構造・サイズ、プロセス基板の種類から、近接場特性とアブレーション特性を明らかにした。プラズモニック散乱とMie散乱近接場の特徴を明確にした。散乱増強近接場光とともに、散乱遠方場光を使った表面微細周期構造の作製とその作製メカニズムを解明した。
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