| 研究課題/領域番号 |
23360321
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
江利口 浩二 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (70419448)
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| 研究分担者 |
斧 高一 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 (30311731)
鷹尾 祥典 京都大学, 大学院・工学研究科, 助教 (80552661)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
16,900千円 (直接経費: 13,000千円、間接経費: 3,900千円)
2013年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2012年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
2011年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円)
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| キーワード | プラズマ / 表面・界面制御 / 極低消費電力 / 欠陥 / 誘電率 / シリコン / トランジスタ / 欠陥構造 / 電気容量 / 分子動力学法 / 変調反射率分光 / 分子動力学 / 表面・界面 / プラズマプロセス / 欠陥層 / 電子 / ナノ材料 |
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| 研究概要 |
高機能デバイスの低消費電力化のための統合的なプロセス設計手法構築に向けて、プラズマプロセスにおける表面界面ナノ領域の欠陥形成機構とその動的挙動の解明に取り組んだ。シリコン半導体デバイスに着目し、プラズマ処理がデバイス消費電力増大に及ぼす影響を、高誘電率薄膜あるいはSi基板表面近傍での欠陥形成に着目しモデル化した。数ミクロン領域での解析が可能な変調反射率分光法、電気容量解析法に加え、分子動力学法を中心とするシミュレーションを用いて、種々のプラズマ処理に伴う欠陥形成過程を定量化した。さらに次世代３次元構造デバイスのプロセス設計や形成された欠陥の回復プロセス設計指針などを明らかにした。
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