| 研究課題/領域番号 |
23360343
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
化工物性・移動操作・単位操作
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
岡野 泰則 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (90204007)
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| 研究分担者 |
高木 洋平 大阪大学, 基礎工学研究科, 助教 (40435772)
早川 泰弘 (水口 尚) 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (00115453)
水口 尚 琉球大学, 工学部, 助教 (70432200)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
11,050千円 (直接経費: 8,500千円、間接経費: 2,550千円)
2013年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2012年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2011年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
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| キーワード | 結晶成長 / 数値解析 / 物質移動 / 界面 / 半導体 / 外力印加 |
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| 研究概要 |
InGaSb、Si/Geといった混晶半導体バルク結晶作製に関する固液界面不安定性制御に関して解析的、実験的に検討を行った。温度勾配法において重力の影響ならびに界面カイネティックスの影響について実験的に明らかにするとともに、これらの影響を考慮しうる解析コードを構築した。加えて、フローティング・ゾーン法によるSi/Ge結晶成長において、融液内マランゴニ対流現象を明らかにするとともに、融液内対流の制御法として、結晶回転、縦及び横方向の磁場印加の影響に関して数値解析を用い明らかにした。
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