研究課題/領域番号 |
23540206
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
基礎解析学
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研究機関 | 広島大学 |
研究代表者 |
松本 敏隆 広島大学, 理学(系)研究科(研究院), 助教 (20229561)
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研究分担者 |
小林 良和 中央大学, 理工学部, 教授 (80092691)
渡邉 紘 サレジオ工業高等専門学校, 助教 (30609912)
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連携研究者 |
田中 直樹 静岡大学, 大学院・理学研究科, 教授 (00207119)
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研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2011年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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キーワード | 適切性 / 放物型方程式 / リプシッツ作用素半群 / 非線形境界条件 |
研究概要 |
放物型方程式の適切性の研究をリプシッツ作用素半群の生成定理の研究と関連付けて行った。強連続解析的半群の非線形摂動理論を増大度αの解析的半群の場合に拡張し、この結果の応用として半導体モデルに関連した移流拡散方程式の適切性を示した。また、強退化放物型方程式、結晶粒界現象のモデル方程式の弱解の存在・一意性を示した。従来の準縮小半群に対する近似定理をリプシッツ作用素半群の場合に拡張し、2次元ナヴィエ-ストークス方程式の解法に応用した。さらに、リプシッツ発展作用素の特徴付け定理についても研究を行った。
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