| 研究課題/領域番号 |
23540384
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 室蘭工業大学 |
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研究代表者 |
戎 修二 室蘭工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (10250523)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2013年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2012年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2011年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 希土類硫化物 / 単結晶 / 逐次磁気相転移 / 異常磁気伝導 / 磁気熱量効果 / ゼーベック係数 / 磁気相制御 / 巨大物性応答 / 磁気相転移 / 磁気冷却効果 / 磁化容易方向制御 / 磁場中比熱 / 巨大磁気ヒステリシス / ホール係数 |
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| 研究概要 |
斜方晶系の結晶構造を持つα型の希土類三二硫化物に関して単結晶を育成し、十数K以下の極低温領域で物性が温度や磁場の大きさと向き、電場に対して非常に急峻で大きな応答を示す場合があることについて磁化・電気抵抗率・ゼーベック係数・比熱等の測定から明確にした。またこれらの現象が多数の準安定な磁気構造に起因すると考え、外場による磁気相制御を介した物性制御を目指し、ジスプロシウム三二硫化物α-Dy2S3の単結晶において磁場の印加プロセスの工夫により新規の磁気相を発現させることに成功した。
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