| 研究課題/領域番号 |
23560003
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
吹留 博一 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (10342841)
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| 研究分担者 |
川合 祐輔 東北大学, 大学院工学研究科, 助教 (20451536)
小嗣 真人 公益財団法人高輝度光科学研究センター, 利用研究促進部門, 研究員 (60397990)
米田 忠弘 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (30312234)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-28 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2013年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2012年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2011年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | 界面 / グラフェン / SiC / 基板微細加工 / ナノスケール制御 / Si基板 / 微細加工 |
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| 研究成果の概要 |
グラフェンは、優れた物性を有する有望なデバイス材料となっている。このグラフェンの実用化に向けて、他のデバイス材料には無い特徴を活かすことが重要である。このことを鑑み、グラフェンの物性が構造に敏感であることを活かした「基板微細加工を援用した選択的成長によるグラフェンの構造・物性のナノ制御」を目的とした研究を行った。
申請者らは、微視的に(111)・(100)が露出した微細加工Si(100)基板へSiC薄膜を介してグラフェンを成長させた。その結果、微視的な面方位による界面構造が変化した。これによりグラフェン積層が変調され、グラフェンのバンド構造を微視的に制御出来ることが明らかとなった。。
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