| 研究課題/領域番号 |
23560408
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 高知工科大学 |
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研究代表者 |
古田 守 高知工科大学, 工学部, 教授 (20412439)
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| 研究分担者 |
浦岡 行治 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 教授 (20314536)
木村 睦 龍谷大学, 理工学部, 教授 (60368032)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2011年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 先端機能デバイス / 電子・電気材料 / 半導体物性 / 酸化物半導体 / 透明回路 / イメージセンサ / イメージセンサー / 薄膜トランジスタ / デバイスシミュレーション |
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| 研究概要 |
本研究はワイドバンドギャップ酸化物半導体による透明トランジスタの実現に向けたものであり、酸化物半導体や絶縁膜と半導体界面の格子欠陥が電気特性や信頼性に及ぼす影響を明らかにすると同時に欠陥の不活性化手法を検討した。
本研究により可視光照射下においても電気的特性の変化のない、真の透明トランジスタを実現し、透明トランジスタからなる信号読み出し回路を有する新たな積層式色分離型光電変換素子を実証した。
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