| 研究課題/領域番号 |
23560804
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京理科大学 |
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研究代表者 |
岡村 総一郎 東京理科大学, 理学部, 教授 (60224060)
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| 研究分担者 |
飯島 高志 独立行政法人産業技術総合研究所, 研究員 (90356402)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2011年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 圧電体 / 薄膜 / 空孔率 / PZT / 歪み / ナノ粒子 / 圧電 / 密度 |
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| 研究概要 |
圧電体薄膜にミクロなレベルでの不均一構造を導入し、不安定な結晶格子の割合を増加させることで、圧電特性の向上が可能ではないかとの仮説に基づき研究を行った。膜厚300 nmのPb(Zr,Ti)O3薄膜において、人為的に空孔を導入し膜密度を0.92～0.98と変化させたところ、空孔率が高くなるにつれ圧電定数は40%ほど増大した。また、白金ナノ粒子導入に関しては、配合率0～2%の範囲では、配合率の上昇とともに圧電定数が50%ほど増大することが確認された。
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