軽元素の半導体

研究課題

研究課題/領域番号	23654077
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理
研究機関	東京大学
研究代表者	リップマーミック (LIPPMAA Mikk) 東京大学, 物性研究所, 准教授 (10334343)
研究期間 (年度)	2011 – 2012
研究課題ステータス	完了 (2012年度)
配分額 *注記	3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円) 2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円) 2011年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
キーワード	粒子測定技術 / 軽元素の半導体
研究概要	パルスレーザー堆積手法によってベリリウム酸化物(BeO)、そして亜鉛をドープしたベリリウム酸化物(Be-Zn-O)の薄膜結晶を作製した。BeO結晶の薄膜が安定して成長する作製条件を探索した。その結果、BeO薄膜が室温でも成長することが新しくわかった。また、Be-Zn-Oの薄膜結晶の実験では、ZnまたはBeが過剰な組成領域でのみ混晶結晶が成長することが見出された。このようなBe-Zn-O混晶の薄膜結晶を用いてX線線量の測定を行うことも可能となった。

報告書

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