近接場顕微分光法による窒化物半導体発光素子の効率ドループ機構の解明

• 研究課題/領域番号: 23686003
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 金田 昭男 京都大学, 大学院・工学研究科, 助教 (80372572)
• 研究期間 (年度): 2011 – 2012
• 研究課題ステータス: 完了 (2012年度)
• 配分額: 23,660千円 (直接経費: 18,200千円、間接経費: 5,460千円); 2012年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円); 2011年度: 16,900千円 (直接経費: 13,000千円、間接経費: 3,900千円)
• キーワード: 走査プローブ顕微鏡 / 半導体物性 / マルチモード近接場分光 / 過渡レンズ法 / 効率ドループ

研究概要

効率ドループの主要因を解明するために、 近接場光学顕微鏡を用いたPL 測定と時間分解(TR)PL 測定を行った。青色発光 InGaN では、キャリア密度が増加すると、キャリアが局在中心からオーバーフローするが、非輻射中心周囲にポテンシャル障壁が形成されているため、非輻射再結合するキャリアが増えないことが分かった。一方、緑色発光 InGaNでは、キャリア密度が増加すると、キャリアが強発光領域から貫通転位に起因した非輻射中心が多数分布する In 組成の高い弱発光領域へ拡散するようになり、非輻射再結合するキャリアの割合が増えることが判明した。これらの結果より、貫通転位密度とキャリア寿命の増加が緑色発光 InGaN における効率ドループの主要なメカニズムであることが明らかになった。

研究成果

• [雑誌論文] Complex strain distribution in individual facetted InGaN/GaN nano-columnar heterostructures (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Bardoux, M. Funato, A. Kaneta, Y. Kawakami, A. Kikuchi and K. Kishino
  • 雑誌名: Optical Materials Express 巻: 3 ページ: 47-53
  • 査読あり
• [雑誌論文] Nanoscopic photoluminescence properties of a green-emitting InGaN single quantum well on a {20-21} GaN substrate probed by scanning near-field optical microscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: A. Kaneta, Y. S. Kim, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Enya, T. Kyono, M. Ueno and T. Nakamura
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 5 号: 10 ページ: 1-3
  • DOI: 10.1143/apex.5.102104
  • NAID: 10031117546
  • 査読あり
• [雑誌論文] Instrumentation for dual-probe scanning near-field optical microscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: A. Kaneta, R. Fujimoto, T. Hashimoto, K. Nishimura, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Review of scientific instruments 巻: 83 号: 8 ページ: 1-11
  • DOI: 10.1063/1.4737883
  • NAID: 120005439698
  • 査読あり
• [雑誌論文] Interference of the surface plasmon polaritons with an Ag waveguide probed by dual-probe scanning near-field optical microscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Fujimoto, A. Kaneta, K. Okamoto, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Surface Science 巻: 258 号: 19 ページ: 7372-7376
  • DOI: 10.1016/j.apsusc.2012.04.034
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. S. Kim, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 巻: 112 ページ: 71-74
• [雑誌論文] Lateral charge carrier diffusion in InGaN quantum wells (2012)
  • 著者名/発表者名: J. Danhof, H. M. Solowan, U. T. Schwarz, A. Kaneta, Y. Kawakami, D. Schiavon, T. Meyer and M. Peter
  • 雑誌名: physica status solidi (B) 巻: 249 ページ: 480-484
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of photo-induced microstructure embedded inside ZnO crystal (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Ishikawa, Y. Shimotsuma, A. Kaneta, M. Sakakura, M. Nishi, K. Miura, K. Hirao and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Proceedings of SPIE 巻: 8243 ページ: 82430N-82430N
  • DOI: 10.1117/12.908190
  • 査読あり
• [雑誌論文] Lateral charge carrier diffusion in InGaN quantum wells (2011)
  • 著者名/発表者名: J.Danhof, H.M.Solowan, U.T.Schwarz, A.Kaneta, Y.Kawakami, D.Schiavon, T.Meyer, M.Peter
  • 雑誌名: Physica Status Solidi B 巻: 249 号: 3 ページ: 480-484
  • DOI: 10.1002/pssb.201100476
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical gain spectroscopy of a semipolar {20-21}-oriented green InGaN laser diode (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. S. Kim, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, T. Kyono, M. Ueno and T. Nakamura
  • 雑誌名: Appl. Phys. Exp. 巻: 4 号: 5 ページ: 1-3
  • DOI: 10.1143/apex.4.052103
  • 査読あり
• [雑誌論文] Time-of-flight measurements of charge carrier diffusion in In_xGa_<1-x>N/GaN quantum wells (2011)
  • 著者名/発表者名: J. Danhof, U. T. Schwarz, A. Kaneta and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 84 号: 3 ページ: 1-5
  • DOI: 10.1103/physrevb.84.035324
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single mode emission and non-stochastic laser system based on disordered point-sized structures : toward a tuneable random laser (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, K.Okamoto, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
  • 雑誌名: Optics Express 巻: 19 ページ: 9262-9268
  • 査読あり
• [雑誌論文] Micromirror arrays to assess luminescent nano-objects (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami, A. Kanai, A. Kaneta, M. Funato, A. Kikuchi and K. Kishino
  • 雑誌名: Review of Scientific Instruments 巻: 82 号: 5
  • DOI: 10.1063/1.3589855
  • NAID: 120004873774
  • 査読あり
• [雑誌論文] Time-resolved photoluminescence of Al-rich AlGaN/AlN quantum wells under selective excitation (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Iwata, T.Oto, A.Kaneta, R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: 8 号: 7-8 ページ: 2191-2193
  • DOI: 10.1002/pssc.201001083
  • 査読あり
• [学会発表] InGaN/GaN SQW における非輻射再結合のキャリアダイナミクス (2013)
  • 著者名/発表者名: 井上航平, 金田昭男, 船戸 充,川上養一,岡本晃一
  • 学会等名: 第60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2013-03-30
• [学会発表] ナノ光励起による窒化物半導体の発光機構解明と制御へのアプローチ (2013)
  • 著者名/発表者名: 川上養一, 金田昭男, 船戸 充
  • 学会等名: 第60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2013-03-27
• [学会発表] 緑色発光 InGaN 量子井戸の近接場光学分光 (2013)
  • 著者名/発表者名: 金田昭男, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第5回文部科学省「最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム」シンポジウム
  • 発表場所: 日本科学未来館
  • 年月日: 2013-01-11
• [学会発表] Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. S. Kim, A. Kaneta, M. funato, Y. Kawakami, T. Miyoshi, S. Nagahama
  • 学会等名: 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 大阪市立大学
  • 年月日: 2012-11-30
• [学会発表] Nanoscopic PL properties in green emitting InGaN single quantum well on {20-21} GaN substrate probed by scanning near field optical microscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: A. Kaneta, Y. S. Kim, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Enya, T. Kyono, M. Ueno and T. Nakamura
  • 学会等名: Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
  • 年月日: 2012-10-16
• [学会発表] 緑色発光{20-21}GaN 基板上 InGaN量子井戸の近接場顕微発光測定 (2012)
  • 著者名/発表者名: 金田昭男, 金潤碩, 船戸 充, 川上養一, 塩谷陽平, 京野孝史, 上野昌紀, 中村孝夫
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
  • 年月日: 2012-09-12
• [学会発表] Contribution of low inhomogeneous broadening to the optical gain of a (0001) oriented InGaN-based green laser diode (2012)
  • 著者名/発表者名: 金 潤碩, 金田昭男,船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
  • 年月日: 2012-09-12
• [学会発表] Recombination Dynamics in InGaN Single Quantum Wells by Scanning Near-field Optical Microscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: The 2nd Sweden-Japan Workshop on Nanophotonics and Related Technologies
  • 発表場所: Kista, Sweden
  • 年月日: 2012-06-19
• [学会発表] Optical Gain Properties of (0001) Oriented InGaN-Based Green Laser Diodes with Low Threshold Current Density (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. S. Kim, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, T. Miyoshi and S. Nagahama
  • 学会等名: 16th Intern. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
  • 発表場所: Paradise Hotel Busan, Busan, Korea
  • 年月日: 2012-05-22
• [学会発表] 窒化アルミニウムにおける静水圧変形ポテンシャルの同定 (2012)
  • 著者名/発表者名: 石井良太, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第59回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学早稲田キャンパス早稲田中・高等学校興風館
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] 近接場分光による局在・輻射・非輻射再結合ダイナミクスの評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 川上養一,船戸 充,金田昭男
  • 学会等名: 第59回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学早稲田キャンパス, 早稲田中・高等学校 興風館
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] 近接場分光による局在・輻射・非輻射再結合ダイナミクスの評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 川上養一, 船戸充, 金田昭男
  • 学会等名: 第59回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学早稲田キャンパス早稲田中・高等学校興風館
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] Recombination Dynamics in Nitride Semiconductors by Scanning Near-field Optical Microscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami, A. Kaneta and M. Funato
  • 学会等名: 5th GCOE Intern. Symp. on Photonics and Electronics Science and Engineering
  • 発表場所: Katsura-Campus, Kyoto University, Kyoto, Japan
  • 年月日: 2012-03-08
• [学会発表] Recombination Dynamics in Nitride Semiconductors by Scanning Near-field Optical Microscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: Y.Kawakami, A.Kaneta, M.Funato
  • 学会等名: 5th GCOE Intern.Symp.on Photonics and Electronics Science and Engineering
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2012-03-08
• [学会発表] Optical gain spectra in semipolar {20-21} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001) LDs (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Kim, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, T. Kyono, M. Ueno and T. Nakamura
  • 学会等名: 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 京都大学
  • 年月日: 2011-11-18
• [学会発表] 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石井良太, 金田昭男, ライアンバナル, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 京都大学
  • 年月日: 2011-11-18
• [学会発表] Optical gain spectra in semipolar {20-21} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001)LDs (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Kim, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, T.Kyono, M.Ueno, T.Nakamura
  • 学会等名: 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 京都大学
  • 年月日: 2011-11-18
• [学会発表] 近接場顕微分光測定による InGaN量子井戸中のキャリア拡散が効率ドループ現象へ与える影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 金田昭男,橋谷 亨,船戸 充,川上養一
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 一軸性応力下におけるAlN薄膜のPLスペクトル (2011)
  • 著者名/発表者名: 石井良太, 金田昭男, R.G.Banal, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 近接場顕微分光測定によるInGaN量子井戸中のキャリア拡散が効率ドループ現象へ与える影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 金田昭男, 橋谷亨, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] Local carrier dynamics in InGaN quantum wells studied by scanning near-fi eld optical microscopy (2011)
  • 著者名/発表者名: A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 2011 Optics+Photonics
  • 発表場所: San Diego Convention Center, San Diego Marriott Marquis and Marina, California, USA
  • 年月日: 2011-08-25
• [学会発表] Local carrier dynamics in InGaN quantum wells studied by scanning near-field optical microscopy (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 2011 Optics+Photonics
  • 発表場所: California, USA(Invited)
  • 年月日: 2011-08-25
• [学会発表] Lateral charge carrier diffusion in InGaN quantum wells (2011)
  • 著者名/発表者名: J. Danhof, U. T. Schwarz, A. Kaneta and Y. Kawakami
  • 学会等名: 9th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Glasgow, UK
  • 年月日: 2011-07-12
• [学会発表] Lateral charge carrier diffusion in InGaN quantum wells (2011)
  • 著者名/発表者名: J.Danhof, U.T.Schwarz, A.Kaneta, Y.Kawakami
  • 学会等名: 9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Glasgow, UK
  • 年月日: 2011-07-12
• [学会発表] Well width dependence of the Mott density in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells assessed by time-resolved photoluminescence (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Iwata, T.Oto, A.Kaneta, R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Glasgow, UK
  • 年月日: 2011-07-12
• [学会発表] Impact of internal quantum efficiency on the droop phenomena studied by scanning near-field optical microscopy in InGaN single quantum wells (2011)
  • 著者名/発表者名: A. Kaneta, A. Hashiya, M. Funato and Y, Kawakami
  • 学会等名: 9th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Glasgow, UK
  • 年月日: 2011-07-11
• [学会発表] Impact of internal quantum efficiency on the droop phenomena studied by scanning near-field optical microscopy in InGaN single quantum wells (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Kaneta, A.Hashiya, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Glasgow, UK
  • 年月日: 2011-07-11
• [学会発表] Optical gain spectra in semipolar {20-21} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001) LDs (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Kim, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, T. Kyono, M. Ueno, and T. Nakamura
  • 学会等名: 30th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Biwako, Shiga, Japan
  • 年月日: 2011-06-29
• [学会発表] Uniaxial Stress Dependence of the Exci tonic Transition in AlN (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Ishii, A.Kaneta, R.G Banal, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 30th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Shiga, Japan
  • 年月日: 2011-06-29
• [学会発表] Optical gain spectra in semipolar {20-21} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001)LDs (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Kim, A.Kaneta, M.Funato, Y.kawakami, T.Kyono, M.Ueno, T.Nakamura
  • 学会等名: 30th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Shiga, Japan
  • 年月日: 2011-06-29
• [学会発表] InGaN/GaN quantum disks and random lasing : toward a quantum dot laser system based on disordered media (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
  • 学会等名: E-MRS
  • 発表場所: Nice, France
  • 年月日: 2011-05-11
• [学会発表] Optical Gain Properties of (0001) Oriented InGaN-Based Green Laser Diodes with Low Threshold Current Density
  • 著者名/発表者名: Y. S. Kim, A. Kaneta, fm, Y. Kawakami, T. Miyoshi and S. Nagahama
  • 学会等名: 16th Intern. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
  • 発表場所: Busan, Korea
• [学会発表] Recombination Dynamics in InGaN Single Quantum Wells by Scanning Near-field Optical Microscopy
  • 著者名/発表者名: A. Kaneta
  • 学会等名: The 2nd Sweden-Japan Workshop on Nanophotonics and Related Technologies
  • 発表場所: Kista, Sweden
• [学会発表] Determination of the deformation potentials in aluminum nitride: Breakdown of the quasicubic approximation in AlN as well as GaN
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Hydrostatic and uniaxial deformation potentials in aluminum nitride: Breakdown of the quasicubic approximation in AlN
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 31st Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Shuzenji, Shizuoka
• [学会発表] 窒化アルミニウムにおける一軸性変形ポテンシャルの同定
  • 著者名/発表者名: 石井良太，金田昭男，船戸 充，川上養一
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] 緑色発光{20-21}GaN基板上InGaN量子井戸の近接場顕微発光測定
  • 著者名/発表者名: 金田昭男, 金 潤碩, 船戸 充, 川上養一, 塩谷陽平, 京野孝史, 上野昌紀, 中村孝夫
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] Contribution of low inhomogeneous broadening to the optical gain of a (0001) oriented InGaN-based green laser diode
  • 著者名/発表者名: 金 潤碩, 金田昭男，船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates
  • 著者名/発表者名: Y. S. Kim, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, T. Miyoshi, S. Nagahama
  • 学会等名: 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 大阪市立大学, 大阪府
• [学会発表] 緑色発光InGaN量子井戸の近接場光学分光
  • 著者名/発表者名: 金田昭男, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第５回文部科学省「最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム」シンポジウム
  • 発表場所: 日本科学未来館, 東京都
• [学会発表] 共焦点顕微鏡による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸のPLマッピング
  • 著者名/発表者名: 岩田佳也, 金田昭男, ライアン バナル, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
• [学会発表] InGaN/GaN量子井戸面内におけるキャリアの伝播・再結合過程の観測
  • 著者名/発表者名: 西川恭平，金田昭男，船戸 充，川上養一
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
• [学会発表] 脱励起光下顕微フォトルミネッセンスによるInGaN/GaN量子井戸のキャリア再結合機構の評価
  • 著者名/発表者名: 田中優也，金田昭男，船戸 充，川上養一
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
• [学会発表] InGaN/GaN SQWにおける非輻射再結合のキャリアダイナミクス
  • 著者名/発表者名: 井上航平, 金田昭男, 船戸 充，川上養一，岡本晃一
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
• [学会発表] ナノ光励起による窒化物半導体の発光機構解明と制御へのアプローチ
  • 著者名/発表者名: 川上養一, 金田昭男, 船戸 充
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
  • 招待講演
• [備考]
  • URL: http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/
• [備考] 京都大学 工学研究科 電子工学専攻 量子機能工学講座 光材料物性工学分野
  • URL: http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/
• [備考]
  • URL: http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/
• [産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置 (2012)
  • 発明者名: 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 権利者名: 京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 出願年月日: 2012-01-20
  • 外国
• [産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置 (2011)
  • 発明者名: 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 権利者名: 京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 産業財産権番号: 2010-128252
  • 出願年月日: 2011-12-21
• [産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置 (2011)
  • 発明者名: 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 権利者名: 京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 出願年月日: 2011-12-22
  • 外国
• [産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置 (2011)
  • 発明者名: 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 権利者名: 京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 出願年月日: 2011-12-22
  • 外国