| 研究課題/領域番号 |
23760017
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
王 冬 九州大学, 総合理工学研究院, 准教授 (10419616)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2012年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2011年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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| キーワード | 解析・評価 / 半導体物性 / 電子・電気材料 / 先端機能デバイス / ゲルマニウム(Ge) / 歪み印加 / MOSFET / 高移動度チャネル / ゲルマニウム（Ge） |
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| 研究概要 |
Geチャネルへの歪み印加技術を確立するため、ストレッサを形成後、ラマン分光法で歪みのストレッサ幾何学形状及び熱処理パラメータ依存性を調査し、フォトルミネセンス法で欠陥の生成、転移及び分布を解明した。Ge-MOSFETを作製するため、大気暴露無しでGe表面を極薄のSiO2/GeO2の2層膜で保護する手法を確立し、SiO2/Si 界面と同程度の低い界面準位密度(Dit)を実現した。SiO2/GeO2構造中の欠陥(スロートラップ)の影響を削除するため、一定温度深準位過渡分光法を確立し、GeO2/Geの正確なDitを評価した。歪み評価から、500 oC以下の低温で良質のGe-MOSFETを形成しなければならないことが分かったので、Ge-MOSFETの低温プロセス技術を開発し、トランジスタ動作を実証した。特に、p-MOSFETの場合、Siと比較して約4倍のチャネル移動度向上を達成した。
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