| 研究課題/領域番号 |
23760030
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
山崎 順 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 助教 (40335071)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2011年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 3C-SiC/Si(001)界面 / 界面構造解析 / 収差補正透過型電子顕微鏡 / 偽像処理 / 第一原理計算 / 積層欠陥 / ミスフィット転位 / 界面ステップ / 3C-SiC/Si界面 / 収差補正透過電子顕微鏡 |
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| 研究概要 |
収差補正透過型電子顕微鏡観察と独自に開発した偽像処理法を組み合わせることにより、3C-SiC/Si(001)界面の原子配列構造を明らかにした。また{111}積層欠陥と界面の接合領域の原子配列構造を解析し、積層欠陥エッジは 30°ショックレー部分転位であること、および格子歪みが大きく緩和されていることを明らかにした。エピタキシャル界面形成初期の炭化プロセス中に既に大量の積層欠陥が発生していることも明らかとなり、積層欠陥形成メカニズムのモデルを提案することに成功した。
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