| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2012年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2011年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
|
|---|
| 研究概要 |
本研究では,マイクロ・ナノメートル領域におけるシリコン単結晶の破壊特性に影響を及ぼす要因を明らかにすることを目的としている.そのため,マイクロ・ナノスケール試料のための引張試験用マイクロデバイスの開発を行った.BとGeが不純物として同時添加されたウェハにおいて,不純物濃度の異なるものを比較試料として用いた.結果,不純物濃度の上昇とともに,ヤング率・破壊応力が減少する傾向が明らかとなった.
|
