| 研究課題/領域番号 |
23760288
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 熊本大学 |
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研究代表者 |
末吉 哲郎 熊本大学, 自然科学研究科, 助教 (20315287)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2012年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2011年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 高温超伝導体 / 臨界電流密度 / ハイブリッド磁束ピンニング / 重イオン照射 / 擬似多層膜 / 1次元ピン / 3次元ピン / 高臨界電流密度 / スプレイ効果 / 異方性改善 / 超伝導材料・素子 / ナノ構造制御 / 低消費電力・高エネルギー密度 |
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| 研究概要 |
BaZrO3ナノ粒子のサイズ，空間分布を制御したBaZrO3/YBa2Cu3Oy擬似多層膜のc軸方向に対し，200 MeVのXeイオンを照射して，1次元ピンと3次元ピンの組み合わせからなる磁束ピンニングのハイブリッド効果について調べた．BaZrO3ナノ粒子のサイズが大きくなると，重イオン照射で形成される柱状欠陥にトラップされない磁束線や柱状欠陥から折れ曲がって外れる磁束線のキンクに対し，BaZrO3ナノ粒子が有効にピン止め作用することで，高温，高磁場領域での臨界電流密度Jcが向上した．この結果は，ハイブリッド磁束ピンニングにおいて，3次元ピンのサイズが重要な因子の一つであることを意味している．
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