| 研究課題/領域番号 |
23760735
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
触媒・資源化学プロセス
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
原 賢二 北海道大学, 触媒化学研究センター, 准教授 (10333593)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2011年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 単分子層 / 金表面 / 触媒反応場 / 選択性 / 協奏機能 / 触媒調製化学 / 金属錯体 / イソシアニド / 鉄 / ニッケル / 水素化 / 触媒 / ロジウム / 銅 / 金 / 表面 |
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| 研究概要 |
本申請研究では、触媒調製の新しいアプローチとして、表面上に形成する高密度な2次元分子集合体を利用することによって特異かつ有用な触媒反応場を自在に構築する手法を開発した。本研究では、触媒活性中心を与える金属錯体に加えて触媒反応場を規定する分子を表面上に共存させた高密度な混合単分子層を形成することによって触媒反応場環境を制御する手法を確立することを目指した。その結果、通常困難な選択性や高い触媒回転数および繰り返し利用性を有する触媒反応場の構築に成功した。
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