| 研究課題/領域番号 |
24226001
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
安藤 康夫 東北大学, 大学院工学研究科, 教授 (60250726)
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| 研究分担者 |
大兼 幹彦 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (50396454)
永沼 博 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (60434023)
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| 連携研究者 |
水上 成美 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 教授 (00339269)
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| 研究期間 (年度) |
2012-05-31 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
218,140千円 (直接経費: 167,800千円、間接経費: 50,340千円)
2016年度: 16,120千円 (直接経費: 12,400千円、間接経費: 3,720千円)
2015年度: 16,380千円 (直接経費: 12,600千円、間接経費: 3,780千円)
2014年度: 38,220千円 (直接経費: 29,400千円、間接経費: 8,820千円)
2013年度: 65,520千円 (直接経費: 50,400千円、間接経費: 15,120千円)
2012年度: 81,900千円 (直接経費: 63,000千円、間接経費: 18,900千円)
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| キーワード | スピンデバイス / ヘテロ接合 / 規則合金 / ホイスラー合金 / L10合金 / マルチフェロ材料 / トンネル接合 / スピントロニクス / ホイスラー / 高磁気異方性 / 生体磁場 / 磁気センサ / ヘテロ結合 |
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| 研究成果の概要 |
大きな磁気異方性と小さな磁気緩和定数を示し、平坦性の良いL10構造MnAl薄膜の作製に成功した。高いスピン分極率と小さい磁気緩和定数を示すCoFeMnSiホイスラー合金を、アモルファスのSiO2基板上に作製することができた。L10-FePd電極上に極薄のPd薄膜を挿入し，成膜温度を最適化することでエピタキシャル成長したトンネル絶縁層を作製することができた。極薄かつ高品質のBiフェライト薄膜をLaSrMnO3強磁性層上に作製することに成功した。
以上の規則合金を用いたヘテロ接合は、従来のスピンデバイスの性能を凌駕し、多彩な物理現象を示すことから、全く新しいスピンデバイスの創成につながるものである。
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| 評価記号 |
検証結果 (区分)
A
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評価記号 |
評価結果 (区分)
A: 当初目標に向けて順調に研究が進展しており、期待どおりの成果が見込まれる
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