| 研究課題/領域番号 |
24310077
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
量子ビーム科学
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| 研究機関 | 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 |
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研究代表者 |
岡村 勝也 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 准教授 (50415048)
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| 研究分担者 |
高山 健 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 加速器支援センター, 特別教授 (20163321)
和気 正芳 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 超電導工学センター, 功労職員 (90100916)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
17,940千円 (直接経費: 13,800千円、間接経費: 4,140千円)
2014年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2013年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
2012年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)
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| キーワード | 誘導加速 / 高繰り返し / パワーモジュール / パルス電源 / 高放熱パッケージ / 両面放熱 / 低インダクタンス / 高耐圧 / 加速器 / デジタル加速器 / シリコンカーバイド / スイッチング素子 / パルスパワー |
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| 研究成果の概要 |
加速セルドライバー用の新型SiC-JFETパワーモジュールを開発した。本パワーモジュールは2.4kVの高耐圧SiC-JFETを2in1構成で接続し、両面冷却構造のよりkWクラスの放熱を可能にすることを目指した革新的なものである。
評価試験の結果、放熱性能では設計値には及ばなかったものの従来品の約２倍となる400Wの放熱が可能であることが実証された。スイッチング性能においては従来品と同等以上であることが示された。また、本パワーモジュールと従来素子を組み合わせたハイブリッド構成のスイッチング電源を試作し、1MHz相当のパルスを発生することが実証された。
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