研究課題
基盤研究(B)
窒化物半導体GaNナノウォール結晶を中心に、形状制御限界に迫る微細ナノ結晶(<50nm)の実現と光デバイス応用技術の開発を目標とした。GaNの低損傷エッチング技術である水素雰囲気異方性熱エッチング法を開発し、幅28nmのInGaN/GaNナノウォールやナノピラーの作製、青色ナノLEDの室温電流注入発光、および直径10nmのGaNナノピラーの作製を実証し、研究目標を達成した。また、世界最高水準の広帯域(波長315~780nmの平均透過率88.2%)と高導電性(7.6Ω/sq.)を有するMgZnO/Ag(Al)/MgZnO透明度電膜と新しい機能性薄膜の堆積技術(ナノミスト堆積法)を開発した。
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すべて 雑誌論文 (14件) (うち国際共著 1件、 査読あり 14件、 謝辞記載あり 4件、 オープンアクセス 2件) 学会発表 (55件) (うち国際学会 11件、 招待講演 3件) 図書 (1件)
Japanese Journal of Applied Physics
巻: 55 号: 4S ページ: 04EL01-04EL01
10.7567/jjap.55.04el01
210000146386
Journal of Physics D: Applied Physics
巻: 49 号: 15 ページ: 155106-155106
10.1088/0022-3727/49/15/155106
巻: 55 号: 4S ページ: 04EJ15-04EJ15
10.7567/jjap.55.04ej15
210000146378
Physica Status Solidi C
巻: online 号: 7-9 ページ: 1-1
10.1002/pssc.201510290
J. Appl. Phys
巻: 117 号: 8 ページ: 084314-084314
10.1063/1.4913626
巻: 54 号: 4 ページ: 046501-046501
10.7567/jjap.54.046501
210000144936
Physica Status Solidi-Rapid Research Letters
巻: 7 号: 5 ページ: 344-347
10.1002/pssr.201307067
Optical Materials Express
巻: 3 号: 1 ページ: 47-53
10.1364/ome.3.000047
120005540813
AIP Conf. Proc.
巻: 1,566 ページ: 107-108
10.1063/1.4848308
AIP Conference Proceedings
巻: 1566 ページ: 494-494
10.1063/1.4848501
巻: 1566 ページ: 548-549
10.1063/1.4848528
J. Phys. Soc. Jpn
巻: 82 号: 1 ページ: 14604-14604
10.7566/jpsj.82.014604
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology
巻: 10 号: 0 ページ: 321-324
10.1380/ejssnt.2012.321
130004438814
Phys. Stat. Soli. (c)
巻: 9 号: 12 ページ: 2477-2480
10.1002/pssc.201200317