| 研究課題/領域番号 |
24360128
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
高橋 庸夫 北海道大学, 情報科学研究科, 教授 (90374610)
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| 研究分担者 |
有田 正志 北海道大学, 大学院情報科学研究科, 准教授 (20222755)
小野 行徳 富山大学, 大学院理工学研究部, 教授 (80374073)
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| 連携研究者 |
西口 克彦 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所量子電子物性研究部, 主任研究員 (00393760)
藤原 聡 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所量子電子物性研究部, 主幹研究員 (70393759)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2014年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2013年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円)
2012年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円)
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| キーワード | 少数電子素子 / 抵抗変化素子 / 先端機能デバイス / 省エネルギーデバイス / 揺らぎ許容デバイス / フレキシブルデバイス / 量子情報処理デバイス / 抵抗変化メモリ / 電子デバイス・機器 |
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| 研究成果の概要 |
ナノドットアレイと抵抗変化メモリによる、高機能で冗長なシステム構築に向けて、大きな進展を得た。
ナノドットアレイの作成自由度を高めると同時に簡略化できる手法を考案し、実際にナノドットの作製を確認することに成功した。加えて、多入力ゲートに対する新たな応答を確認した。限られたドットとしか接続していないゲートを用いても、ドット内の電子数が数個と少ない場合には、離れたドットの情報が影響することを示し、古典的には予想できない機能の拡張性を示した。
抵抗変化メモリでは、TEMによる動作機構解析から始め、ハードウエアでニューラルネットによる冗長性実現の鍵であるアナログ記憶の特性が得られることを示した。
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