| 研究課題/領域番号 |
24560361
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北見工業大学 |
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研究代表者 |
武山 眞弓 北見工業大学, 工学部, 准教授 (80236512)
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| 研究分担者 |
野矢 厚 北見工業大学, 工学部, 教授 (60133807)
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| 連携研究者 |
町田 英明 (30535670)
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| 研究協力者 |
佐藤 勝
中村 友二
中田 義弘
小林 靖志
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2013年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2012年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 薄膜プロセス / シリコン貫通ビア / 3次元集積回路 / 低温プロセス / 絶縁バリヤ / SiNx膜 / 薄膜 / 絶縁膜 / TSV |
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| 研究成果の概要 |
3次元LSIのSi貫通ビア配線において、高密度なSiNx膜を低温で作製することが切望されている。その解決策として、我々は反応性スパッタにより基板加熱なしで高密度なSiNx膜を得ることができた。この膜は、700℃までCuの拡散を抑制できたことから、低温成膜された高密度なSiNx膜は。有用な絶縁バリヤとなり得ることが明らかとなった。また、スパッタとPECVD法にてSiNx膜を準備し、その特性の詳細を検討することにより、PECVD-SiNx膜の低密度化の要因を明らかにした。
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