| 研究課題/領域番号 |
24560376
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 山口大学 |
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研究代表者 |
小柳 剛 山口大学, 理工学研究科, 教授 (90178385)
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| 研究分担者 |
岸本 堅剛 山口大学, 大学院理工学研究科, 助教 (50234216)
浅田 裕法 山口大学, 大学院理工学研究科, 准教授 (70201887)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2013年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2012年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | スピン流 / スピン・ゼーベック効果 / 異常ネルンスト効果 / 磁性ガーネット / 磁性半導体 / 薄膜 / ＭＯＤ法 / ＭＢＥ法 / 磁性絶縁体 / ガーネット / 酸化物磁性絶縁体 / 逆スピン・ホール効果 |
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| 研究成果の概要 |
本研究は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する新しいエネルギー変換機構の解明、及びそれを活かした発電素子等の開発を目的として、磁性ガーネット薄膜のスピン・ゼーベック効果や磁性半導体薄膜の異常ネルンスト効果について研究を行った。これらの効果を低温から測定できる測定装置を開発した。磁性ガーネット薄膜は有機金属塗布熱分解（ＭＯＤ）法により作製し、その組成とスピン・ゼーベック効果の関連を探った。磁性半導体薄膜は分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により成長させ、異常ネルンスト効果の観測とその温度依存性の考察を行った。
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