| 研究課題/領域番号 |
24560389
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
有沢 俊一 独立行政法人物質・材料研究機構, 超伝導物性ユニット, 主幹研究員 (00354340)
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| 研究分担者 |
遠藤 和弘 金沢工業大学, 工学系研究科, 教授 (50356606)
内山 哲治 宮城教育大学, 教育学部, 准教授 (10323784)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2014年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2013年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 走査SQUID顕微鏡 / 超伝導 / 磁束量子 |
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| 研究成果の概要 |
走査SQUID顕微鏡により個々の磁束量子の挙動を実空間で直接観察し、これまで薄膜中を流れる電流と磁束量子を同時に観測する手法を提案してきた。これを利用し磁束が特定方向に動きやすい構造の接合付近での直接観察を目的とした。
人工粒界のある超伝導薄膜に加工し、磁束量子の観察を行った。粒界接合への量子化磁束の侵入過程の直接観察に成功し、アンチドット付近の磁場分布を計算し非円形でも電流評価を行った。材料となる薄膜の高品質化も実施し、新たな成長様式の非c軸配向Bi系超伝導体の作製・評価法を開発した。この膜でジョセフソン磁束のテクスチャが薄膜で観察され、本研究に有効な材料であることが見出された。
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