研究課題
挑戦的萌芽研究
ビスマス強誘電体単結晶膜について、電圧印加によって上下の分極状態それぞれについての大小2つの歪み状態を実現することを試みた。その結果、 [(2/3)[Bi((Zn1-xMgx)1/2Ti1/2)O3]-(1/3)[BiFeO3]組成のエピタキシャル膜では、組成を変えることによって、歪の異なる2種類の正方晶の強誘電体を作製できることを明らかにした。しかしその正方晶性は温度によっては大きく変化しなかった。さらに絶縁性改善を目指して、Bi((ZnxMg1-x)1/2Ti1/2)O3の薄膜の作製を行い、20%以上の大きな歪をもつ単相膜の作製はできなかったものの、約7%の歪を有する膜の作製には成功した。
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