| 研究課題/領域番号 |
24656444
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
前田 将克 大阪大学, 接合科学研究所, 助教 (00263327)
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| 研究分担者 |
高橋 康夫 大阪大学, 接合科学研究所, 教授 (80144434)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2013年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | ひずみ / 窒化ガリウム / 電極／基板界面 / 界面電気伝導特性 / オーミック電極 / 歪 / コンタクト通電特性 / 成膜残留歪 / ショットキー障壁 |
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| 研究概要 |
本研究は，Ti基電極膜形成によってGaN基板との界面近傍に生じる基板のひずみが界面電気伝導度に及ぼす影響を調べ，その知見に立脚してひずみ制御により電気伝導度を向上することを目的として遂行された．GaN基板上にTiを成膜すると，電極直下のGaN基板には圧縮ひずみが生じる．圧縮ひずみが大きいほど電気伝導度は低下する．すなわち，GaN基板のひずみは電極／基板界面の電気伝導特性に影響する．電極直下のGaN基板のひずみを基板裏面へのTi成膜により相殺すると電気伝導度が向上する．以上の成果により，電極膜直下のGaN基板のひずみ状態制御がGaNとTi基電極界面の電気伝導度向上に有効であることが実証された．
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