| 研究課題/領域番号 |
24656456
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
金属生産工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
長汐 晃輔 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (20373441)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2012年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | グラフェン / CVD / 単結晶 / 高移動度 / Cu / MICA |
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| 研究概要 |
グラフェン合成方法で，CVD法は高品質かつ大面積成長の観点から最も有望である．本研究では，単結晶Al2O3やMgOを代わる基板としてFujiiらが報告している単結晶マイカ(001)を選択しグラフェンの触媒の単結晶Cu膜を堆積した．マイカ上に堆積した800 nm厚さのCu膜は(111)配向した単結晶であり，表面粗さ0.5nmと比較的フラットな面を達成している．成長時の導入ガス量を制御することで，高品質かつ大面積グラフェンの合成に成功した．移動度として4500cm2/Vs程度の値を得ている．
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