単一の金属－絶縁体ドメイン壁における新奇伝導現象の開拓

• 研究課題/領域番号: 24684024
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 一部基金
• 研究分野: 物性Ⅱ
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 守谷 頼 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (30548657)
• 研究期間 (年度): 2012-04-01 – 2015-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2014年度)
• 配分額: 25,870千円 (直接経費: 19,900千円、間接経費: 5,970千円); 2014年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円); 2013年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円); 2012年度: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円)
• キーワード: 強相関電子系 / 酸化物 / ナノ細線 / 酸化バナジウム

研究成果の概要

本研究課題ではナノ構造を用いて制御された単一の金属-絶縁体境界面において発現する新規の伝導現象の開拓を目指して研究をおこなった。３年間の研究の成果として、本研究では1)高品質単結晶ナノ細線の作製、2)無歪ナノ細線における単一の金属-絶縁体境界面の観測、3)金属-絶縁体境界面の電流駆動、を達成した。これらの手法の開拓により、今後さらに金属-絶縁体境界面と電子相関現象の物理と応用の発展が期待できる。

研究成果

• [学会発表] Electrical spin injection into graphene through monolayer h-BN tunnel barrier (2013)
  • 著者名/発表者名: 守谷 頼
  • 学会等名: 58th annual conference on magnetism and magnetic materials
  • 発表場所: デンバー、アメリカ
  • 年月日: 2013-11-03 – 2013-11-10
• [学会発表] Landau Level Crossing and Anti-crossing of Bilayer Two-dimensional Hole Gas in Ge/SiGe Quantum Well (2013)
  • 著者名/発表者名: 守谷 頼
  • 学会等名: 2013 International conference on solid state devices and materials
  • 発表場所: 福岡
  • 年月日: 2013-09-24 – 2013-09-27
• [学会発表] Landau level crossing and anti-crossing of bilayer two-dimensional hole gas in Ge/SiGe quantum well (2013)
  • 著者名/発表者名: 守谷 頼
  • 学会等名: EP2DS20-MSS16
  • 発表場所: ブロツワフ、 ポーランド
  • 年月日: 2013-07-01 – 2013-07-05
• [学会発表] Inlluence of current on a single metal-insulator domaln wall driven pnase transi tion in a VO_2 nanowire (2012)
  • 著者名/発表者名: 守谷頼
  • 学会等名: 2012 Materials Research Society Spring Meeting
  • 発表場所: ボストン(アメリカ)
  • 年月日: 2012-04-10