| 研究課題/領域番号 |
24760105
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 京都工芸繊維大学 |
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研究代表者 |
山口 桂司 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 助教 (00609282)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2014年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2013年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2012年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | SiC / スクラッチ試験 / 紫外光 / 延性モード / フォースプレート / UVアシスト |
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| 研究成果の概要 |
紫外光照射による光化学反応を重畳したSiC単結晶の高能率鏡面研削を実現するため，単粒研削を模した漸増切込み試験（スクラッチ試験）によってSiC単結晶の基礎的な加工特性を明らかにした．その結果，延性モードで加工可能な臨界切込み量は，紫外光照射なしでは0.03μmだったのに対して紫外光照射されたSiC表面には酸化物が形成されることで２～３倍まで大きくなることが明らかになった．さらに紫外光照射時に熱を与えることによって形成される酸化物の厚さは飛躍的に大きくなり，臨界切込み量も増大することが明らかになった．
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