| 研究課題/領域番号 |
24760291
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究(B)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
通信・ネットワーク工学
|
|---|
| 研究機関 | 東京工業大学 |
|---|
研究代表者 |
平野 拓一 東京工業大学, 理工学研究科, 助教 (60345361)
|
|---|
| 研究協力者 |
安藤 真 東京工業大学, 大学院理工学研究科・電気電子工学専攻, 教授 (90159533)
広川 二郎 東京工業大学, 大学院理工学研究科・電気電子工学専攻, 教授 (00228826)
岡田 健一 東京工業大学, 大学院理工学研究科・電子物理工学専攻, 准教授 (70361772)
矢尾 裕樹
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2013年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2012年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
|
|---|
| キーワード | CMOS / ミリ波 / オンチップアンテナ / 放射効率 / シリコン基板 / イオン照射 / 電磁界シミュレーション / オンチップ / アンテナ / シリコン / 導電率 / 低損失化 / シミュレーション |
|---|
| 研究成果の概要 |
本研究はミリ帯オンチップアンテナの高効率化に関するものである。ミリ波帯オンチップアンテナは放射効率の低さが問題となっているが、それはシリコン基板の表面および、シリコン基板の導電率が大きいことが原因である。本課題では、最初に電磁界解析モデルの高精度化を試みた。また、アンテナ付近にウェル生成禁止レイヤを用いる方法およびHe-3イオンビームを照射して導電率を下げる方法で放射効率を改善する手法を試みた。40%程度の放射効率が得られた。
|
