| 研究課題/領域番号 |
24H00046
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
大区分D
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
渡部 平司 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90379115)
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| 研究分担者 |
染谷 満 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (60783644)
小林 拓真 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (20827711)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2029-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
204,360千円 (直接経費: 157,200千円、間接経費: 47,160千円)
2025年度: 49,010千円 (直接経費: 37,700千円、間接経費: 11,310千円)
2024年度: 55,120千円 (直接経費: 42,400千円、間接経費: 12,720千円)
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| キーワード | 炭化珪素 / パワーデバイス / MOS構造 / 界面科学 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
炭化珪素(SiC)は優れた物性を有し、パワーデバイス用途の半導体として期待されている。近年、新幹線や電気自動車へのSiCパワーデバイスの導入がはじまったが、電界効果トランジスタ（SiC MOSFET）の性能は期待値には程遠く、材料の優位性を生かし切れていない。これはMOSFETの心臓部となる絶縁膜/SiC界面に原因があり、界面欠陥の理解とMOS構造の高品質化が望まれている。本研究では、理論計算と界面物性評価に加え、MOSFETの動作解析を通じて、SiC半導体ヘテロ界面の特異性を解き明かすと共に、その高品質化技術の構築を通じてSiCパワーデバイスの省エネ性能の向上を目指す。
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