Ge薄膜中キャリア輸送機構に及ぼす同位体および界面散乱に関する研究

• 研究課題/領域番号: 25249032
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 鳥海 明 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (50323530)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2016-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2015年度)
• 配分額: 46,670千円 (直接経費: 35,900千円、間接経費: 10,770千円); 2015年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円); 2014年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円); 2013年度: 32,370千円 (直接経費: 24,900千円、間接経費: 7,470千円)
• キーワード: 電子デバイス / 半導体物性 / ゲルマニウム / 同位体 / 界面散乱

研究成果の概要

Ge基板にH2処理を施すことによって原子レベル平坦性をGe表面上に実現することができ，高電子密度下での移動度を大きく改善することができた。一方，同位体効果に関しては，同位体効果以前のホモエピの質の問題として現れてしまい明瞭な結果をえることができなかったが，それ以上に大きな効果として基板内の酸素起因の欠陥の移動度への著しい影響を発見することができた。これもH2アニールによって取り除くことができ，移動度の大幅改善を実現することができた。両者ともGe CMOSの可能性を大きく広げる成果である。

研究成果

• [雑誌論文] Non-destructive Characterization of Oxide/germanium Interface by Direct-gap Photoluminescence Analysis (2015)
  • 著者名/発表者名: S. Kabuyanagi, T. Nishimura, T. Yajima and A. Toriumi
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 8 号: 5 ページ: 051301-051303
  • DOI: 10.7567/apex.8.051301
  • 査読あり
• [雑誌論文] "Reliability assessment of germanium gate stacks with promising initial characteristics. " (2015)
  • 著者名/発表者名: Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 8 号: 2 ページ: 021301-021301
  • DOI: 10.7567/apex.8.021301
  • NAID: 210000137374
  • 査読あり
• [雑誌論文] "Structural and thermodynamic consideration of metal oxide doped GeO2 for gate stack formation on germanium." (2014)
  • 著者名/発表者名: Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Wenfeng Zhang, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 116 号: 17
  • DOI: 10.1063/1.4901205
  • 査読あり
• [雑誌論文] "Significant enhancement of High-Ns Electron Mobility in Ge n-MOSFETs with Atomically Flat Ge/GeO2 Interface." (2014)
  • 著者名/発表者名: C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, W. Zhang, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 61（３） 号: 3 ページ: 147-156
  • DOI: 10.1149/06103.0147ecst
  • 査読あり
• [雑誌論文] "Atomically flat planarization of Ge(100), (110), and (111) surfaces in H2 annealing. " (2014)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Nishimura, Shoichi Kabuyanagi, Wenfeng Zhang, Choong Hyun Lee, Takeaki Yajima, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 7 号: 5 ページ: 051301-051301
  • DOI: 10.7567/apex.7.051301
  • NAID: 210000137073
  • 査読あり
• [雑誌論文] Enhancement of thermal stability and water resistance in yttrium-doped GeO2/Ge gate stack (2014)
  • 著者名/発表者名: C. Lu, C. H. Lee, W. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 104 号: 9 ページ: 92909-92909
  • DOI: 10.1063/1.4868032
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impacts of oxygen passivation on poly-crystalline germanium thin film transistor (2014)
  • 著者名/発表者名: S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 557 ページ: 334-337
  • DOI: 10.1016/j.tsf.2013.11.133
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterization of electron mobility in ultrathin body germanium-on-insulator metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (2013)
  • 著者名/発表者名: C. H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, D. D. Zhao, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 102 号: 23
  • DOI: 10.1063/1.4810002
  • 査読あり
• [雑誌論文] Conduction band offset at Ge02/Ge interface determined by internal photoemission and charge-corrected x-rav photoelectron spectroscopies (2013)
  • 著者名/発表者名: W. F. Zhang
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 102 号: 10 ページ: 102106-1
  • DOI: 10.1063/1.4794417
  • 査読あり
• [雑誌論文] "Atomically Flat Germanium (111) Surface by Hydrogen Annealing" (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Nishimura, S. Kabuyanagi, C. H. Lee, T. Yajima, K. Nagashio and A. Toriumi
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 58(9) 号: 9 ページ: 201-206
  • DOI: 10.1149/05809.0201ecst
  • 査読あり
• [雑誌論文] "High Electron Mobility in Germanium Junctionless n-MOSFETs" (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 58(9) 号: 9 ページ: 309-315
  • DOI: 10.1149/05809.0309ecst
  • 査読あり
• [学会発表] 「イオン注入操作によって単結晶ゲルマニウム中に生じる欠陥のDLTSによる解析」 (2016)
  • 著者名/発表者名: 池谷 大樹、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学（東京都・目黒区）
  • 年月日: 2016-03-20
• [学会発表] 「Geにおける正孔と電子のフォノン周波数に対する影響の違い」 (2016)
  • 著者名/発表者名: 株柳 翔一、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学（東京都・目黒区）
  • 年月日: 2016-03-20
• [学会発表] 「界面ダイポール密度の制御による金属/Ge界面のフェルミレベルピンニング緩和の試み」 (2016)
  • 著者名/発表者名: 西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学（東京都・目黒区）
  • 年月日: 2016-03-19
• [学会発表] 「知っておくと得するｹﾞﾙﾏﾆｳﾑ制御の三つの基本」 (2016)
  • 著者名/発表者名: 鳥海 明
  • 学会等名: 電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）
  • 発表場所: 東レ研修センター（静岡県・三島市）
  • 年月日: 2016-01-22
  • 招待講演
• [学会発表] "Characterization of defects in Ge substrates using deep-level transient spectroscopy (DLTS)" (2016)
  • 著者名/発表者名: H. Ikegaya, T. Nishimura, and A. Toriumi
  • 学会等名: 9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration
  • 発表場所: 東北大学（宮城県・仙台市）
  • 年月日: 2016-01-11
  • 国際学会
• [学会発表] 「Ge基板中酸素の役割-良いこと、悪いこと-」 (2015)
  • 著者名/発表者名: 鳥海 明
  • 学会等名: NWDTF2015 in KOCHI
  • 発表場所: 高知工科大学（高知県・高知市）
  • 年月日: 2015-12-19
• [学会発表] "Effects of free-carriers on rigid band and bond descriptions in germanium - Key to designing and modeling in Ge nano-devices -" (2015)
  • 著者名/発表者名: S. Kabuyanagi, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2015 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)
  • 発表場所: Washington D.C. (USA)
  • 年月日: 2015-12-09
  • 国際学会
• [学会発表] "Structural coordination of rigidity with flexibility in gate dielectric films for sub-nm EOT Ge gate stack reliability" (2015)
  • 著者名/発表者名: C. Lu, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2015 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)
  • 発表場所: Washington D.C. (USA)
  • 年月日: 2015-12-08
  • 国際学会
• [学会発表] "Preferential oxidation of Si in SiGe for shaping Ge-rich SiGe gate stacks" (2015)
  • 著者名/発表者名: C.T. Chang, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2015 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)
  • 発表場所: Washington D.C. (USA)
  • 年月日: 2015-12-08
  • 国際学会
• [学会発表] "Materials and Process Controls in Germanium Gate Stacks" (2015)
  • 著者名/発表者名: A. Toriumi
  • 学会等名: 46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC)
  • 発表場所: Arlington, VA (USA)
  • 年月日: 2015-12-04
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] "Effects of Ge Substrate Annealing in H2 on Electron Mobility and on Junction Leakage in n-Channel Ge Mosfets" (2015)
  • 著者名/発表者名: A. Toriumi, C. Lee, and T. Nishimura
  • 学会等名: 228th ECS Meeting
  • 発表場所: Phoenix, AZ (USA)
  • 年月日: 2015-10-14
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] "Gate-Bias Dependent Phonon Softening Observed in Ge Mosfets" (2015)
  • 著者名/発表者名: S. Kabuyanagi, T. Nishimura, T. Yajimia, and A. Toriumi
  • 学会等名: 228th ECS Meeting
  • 発表場所: Phoenix, AZ (USA)
  • 年月日: 2015-10-13
  • 国際学会
• [学会発表] "Direct Evidence of Freecarrier Induced Bandgap Narrowing in Ge" (2015)
  • 著者名/発表者名: S. Kabuyanagi, T. Nishimura, T. Yajimia, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
  • 発表場所: 札幌コンベンションセンター（北海道・札幌市）
  • 年月日: 2015-09-29
  • 国際学会
• [学会発表] "Beyond GeO2 on Ge: Network Modification of GeO2 for Reliable Ge Gate Stacks" (2015)
  • 著者名/発表者名: C. Lu, C.H. Lee, T. Nishimura, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
  • 発表場所: 札幌コンベンションセンター（北海道・札幌市）
  • 年月日: 2015-09-29
  • 国際学会
• [学会発表] "Thermodynamic Knob for High Performance SiGe Gate Stack Formation" (2015)
  • 著者名/発表者名: C.T. Chang, T. Nishimura, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
  • 発表場所: 札幌コンベンションセンター（北海道・札幌市）
  • 年月日: 2015-09-29
  • 国際学会
• [学会発表] "Observation of Plastic and Elastic Deformations in Ge Films of Bonded GeOI" (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Nishimura, T. Nakamura, T. Yajima, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
  • 発表場所: 札幌コンベンションセンター（北海道・札幌市）
  • 年月日: 2015-09-29
  • 国際学会
• [学会発表] 「フリーキャリア密度に依存したGeの電子物性およびフォノン物性」 (2015)
  • 著者名/発表者名: 株柳 翔一、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
  • 年月日: 2015-09-16
• [学会発表] "Interface-aware high-k dielectric designing for deep sub-nm EOT Ge gate stack" (2015)
  • 著者名/発表者名: C. Lu, C. Lee, T. Nishimura, and A. Toriumi
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
  • 年月日: 2015-09-14
  • 招待講演
• [学会発表] 「Ge-CMOSのためのGeO2/Ge界面制御」 (2015)
  • 著者名/発表者名: 鳥海 明
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会, シンポジウム（越境する絶縁膜／半導体界面技術 ～ Si から Non-Si へ）
  • 発表場所: 名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
  • 年月日: 2015-09-14
  • 招待講演
• [学会発表] "How to secure both sufficient passivation and long term reliability in Ge gate stack -The key is to keep a proper network structure of oxides-" (2015)
  • 著者名/発表者名: C. Lu, T. Nishimura, and A. Toriumi
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会, シンポジウム（Ge-CMOSはどこまで進んでいるのか）
  • 発表場所: 名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
  • 年月日: 2015-09-13
  • 招待講演
• [学会発表] 「どこまでGe-CMOS技術は進んでいるのか - イントロダクション -」 (2015)
  • 著者名/発表者名: 鳥海 明
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会, シンポジウム（Ge-CMOSはどこまで進んでいるのか）
  • 発表場所: 名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
  • 年月日: 2015-09-13
  • 招待講演
• [学会発表] "Opportunities of high performance Ge CMOS" (2015)
  • 著者名/発表者名: A. Toriumi
  • 学会等名: Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors V
  • 発表場所: Lake Tahoe, California (USA)
  • 年月日: 2015-06-17
  • 国際学会
• [学会発表] "Design and Demonstration of Reliability-Aware Ge Gate Stacks with 0.5 nm EOT" (2015)
  • 著者名/発表者名: C. Lu, C. H. Lee, T. Nishimura, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2015 Symposium on VLSI Technology
  • 発表場所: リーガロイヤルホテル京都（京都府・京都市）
  • 年月日: 2015-06-16
  • 国際学会
• [学会発表] "Effect of Free Carrier Accumulation or Depletion on Zone-center Vibrational Mode in Ge" (2015)
  • 著者名/発表者名: S. Kabuyanagi, T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2015 Silicon Nanoelectronics Workshop
  • 発表場所: リーガロイヤルホテル京都（京都府・京都市）
  • 年月日: 2015-06-15
  • 国際学会
• [学会発表] "Recent progress of Ge junction technology" (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Nishimura, C. H. Lee, T. Nakamura, T. Yajima, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi
  • 学会等名: 15th International Workshop on Junction Technology (IWJT2015)
  • 発表場所: 京都大学宇治キャンパス（京都府・宇治市）
  • 年月日: 2015-06-12
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] "H2 Annealing Effects of Ge Substrate both on Electron Mobility and on Junction Leakage in Ge n-MOSFETs" (2015)
  • 著者名/発表者名: A. Toriumi, C. H. Lee, and T. Nishimura
  • 学会等名: The 2015 E-MRS Spring Meeting
  • 発表場所: Lille (France)
  • 年月日: 2015-05-14
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] 「Reliability-aware Germanium Gate Stack Formation by GeO2 Network Modification」 (2015)
  • 著者名/発表者名: Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi
  • 学会等名: 2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス（神奈川県 平塚市）
  • 年月日: 2015-03-14
• [学会発表] 「Design of High-k and Interfacial Layer on Germanium for 0.5nm EOT」 (2015)
  • 著者名/発表者名: Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi
  • 学会等名: 2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス（神奈川県 平塚市）
  • 年月日: 2015-03-14
• [学会発表] 「Non-destructive Characterization of Oxide/Ge Interface by Photoluminescence Measurement」 (2015)
  • 著者名/発表者名: Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi
  • 学会等名: 2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス（神奈川県 平塚市）
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] 「n+Si/pGe Heterojunctions Fabricated by Narrow Membrane Bonding」 (2015)
  • 著者名/発表者名: Chi Liu, Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi
  • 学会等名: 2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス（神奈川県 平塚市）
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] 「Inspection of elastic stress and generated defects in thin Ge filmon GeOI wafer」 (2015)
  • 著者名/発表者名: Toshimitsu Nakamura, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi
  • 学会等名: 2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス（神奈川県 平塚市）
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] 「Phonon-softening in Germanium by Free Carrier Accumulation -Experimental Distinction between Impurity and Free Carrier Effect-」 (2015)
  • 著者名/発表者名: Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi
  • 学会等名: 2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス（神奈川県 平塚市）
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] 「2-nm-EOT Y-Si-O Gate Stack Formation on Si0.5Ge0.5」 (2015)
  • 著者名/発表者名: CheTsung Chang, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi
  • 学会等名: 2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス（神奈川県 平塚市）
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] 「電子濃度および界面の境界条件に強く依存したGeの電子構造」 (2015)
  • 著者名/発表者名: 株柳 翔一, 西村 知紀, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明
  • 学会等名: 第20回ゲートスタック研究会
  • 発表場所: 東レ研修センター（静岡県 三島市）
  • 年月日: 2015-01-31
• [学会発表] 「Critical Roles of Doped-Metal Cation in GeO2 for Gate Stack Formation on Ge」 (2015)
  • 著者名/発表者名: Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi
  • 学会等名: 第20回ゲートスタック研究会
  • 発表場所: 東レ研修センター（静岡県 三島市）
  • 年月日: 2015-01-31
• [学会発表] "Study of Raman Peak Shift in Heavily Doped Germanium - A new research opportunity using ultra-thin GeOI" (2015)
  • 著者名/発表者名: Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, and Akira Toriumi
  • 学会等名: 8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
  • 発表場所: TOHOKU University (Miyagi,Sendai)
  • 年月日: 2015-01-29
• [学会発表] "Impact of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage and Electron Mobility in Ge n-MOSFETs" (2015)
  • 著者名/発表者名: C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, S. Kabuyanagi, and A. Toriumi
  • 学会等名: 8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
  • 発表場所: TOHOKU University (Miyagi,Sendai)
  • 年月日: 2015-01-29
• [学会発表] "Dielectric Film Engineering for Ge-rich SiGe MOS Gate Stacks" (2015)
  • 著者名/発表者名: C-T. Chang, T. Nishimura and A. Toriumi
  • 学会等名: 8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
  • 発表場所: TOHOKU University (Miyagi,Sendai)
  • 年月日: 2015-01-29
• [学会発表] "Fabrication and Characterization of n+Si/pGe Heterojunctions by Narrow Membrane Bonding" (2015)
  • 著者名/発表者名: Tony C. Liu, Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, and Akira Toriumi
  • 学会等名: 8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
  • 発表場所: TOHOKU University (Miyagi,Sendai)
  • 年月日: 2015-01-29
• [学会発表] "Dramatic Effects of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage as well as Electron Mobility in n-channel Ge MOSFETs" (2014)
  • 著者名/発表者名: C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, S. Kabuyanagi and A. Toriumi
  • 学会等名: IEDM 2014
  • 発表場所: San Francisco (USA)
  • 年月日: 2014-12-17
• [学会発表] "Interface Friendly High-k Dielectrics for Sub-nm EOT Gate Stacks Formation on Germanium" (2014)
  • 著者名/発表者名: C. Lu, C. H. Lee, T. Nishimura, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2014 IEEE 45th SISC
  • 発表場所: San Diego （USA）
  • 年月日: 2014-12-13
• [学会発表] "Merits and demerits of H2-annealing in GeO2/Ge gate stacks" (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Nishimura, S. Kabuyanagi, C. H. Lee, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
  • 発表場所: Leuven （Belgium）
  • 年月日: 2014-11-13
• [学会発表] "High Electron Mobility n-Channel Ge MOSFETs with Sub-Nm EOT" (2014)
  • 著者名/発表者名: A. Toriumi, C. Lee, C. Lu, and T. Nishimura
  • 学会等名: ECS 226th Meeting
  • 発表場所: Cuncun （Mexico）
  • 年月日: 2014-10-06
  • 招待講演
• [学会発表] "Impact of YScO3 on Ge Gate Stack in Terms of EOT Reduction as Well as Interface" (2014)
  • 著者名/発表者名: C. Lu, C.H. Lee, T. Nishimura1,2, K. Nagashio and A. Toriumi
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)
  • 発表場所: Tsukuba International Congress Center(Ibaraki, Tsukuba)
  • 年月日: 2014-09-08 – 2014-09-11
• [学会発表] "Origin of Self-limiting Oxidation of Ge in High-Pressure O2 at Low Temperature" (2014)
  • 著者名/発表者名: C.H. Lee, T. Nishimura1,2, K. Nagashio and A. Toriumi
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)
  • 発表場所: Tsukuba International Congress Center(Ibaraki, Tsukuba)
  • 年月日: 2014-09-08 – 2014-09-11
• [学会発表] "Toward 1-nm-EOT Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Films" (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Nishimura, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)
  • 発表場所: Tsukuba International Congress Center(Ibaraki, Tsukuba)
  • 年月日: 2014-09-08 – 2014-09-11
• [学会発表] "Validity of Direct-gap Photoluminescence Analysis for Nondestructive Characterization of Oxide/Germanium Interface" (2014)
  • 著者名/発表者名: S. Kabuyanagi, T. Nishimura, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)
  • 発表場所: Tsukuba International Congress Center(Ibaraki, Tsukuba)
  • 年月日: 2014-09-08 – 2014-09-11
• [学会発表] "Be more positive about Ge FETs" (2014)
  • 著者名/発表者名: A. Toriumi
  • 学会等名: AWAD 2014
  • 発表場所: Kanazawa Bunka Hall (Ishikawa, Kanazawa)
  • 年月日: 2014-07-03
  • 招待講演
• [学会発表] "Thermally Robust CMOS-aware Ge MOSFETs with High Mobility at High-carrier Densities on a Single Orientation Ge Substrate" (2014)
  • 著者名/発表者名: C. H. Lee, C. Lu, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: Symposium on VLSI Technology (VLSI)
  • 発表場所: Hawaii （USA）
  • 年月日: 2014-06-11
• [学会発表] "Conduction-band Tail States of Thermally Grown GeO2 on Ge Detected by Internal Photoemission Spectroscopy" (2014)
  • 著者名/発表者名: W.F. Zhang, C.H. Lee, T.Nishimura,and A. Toriumi
  • 学会等名: 2014 Silicon nanoelectronic workshop
  • 発表場所: Hawaii （USA）
  • 年月日: 2014-06-08 – 2014-06-09
• [学会発表] "Atomic-scale planarization of Ge (111), (110) and (100) surfaces" (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Nishimura, C. Lee, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
  • 発表場所: Singapore
  • 年月日: 2014-06-03
• [学会発表] "High electron mobility n-channel Ge MOSFETs with sub-nm EOT" (2014)
  • 著者名/発表者名: A. Toriumi, C. H. Lee, C. Lu, and T. Nishimura
  • 学会等名: International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
  • 発表場所: Singapore
  • 年月日: 2014-06-02
  • 招待講演
• [学会発表] "Advanced Gate Stacks on Column IV Semiconductors from Materials Perspective" (2014)
  • 著者名/発表者名: A. Toriumi
  • 学会等名: International Conference on IC Design and Technology (ICICDT 2014)
  • 発表場所: Austin (USA)
  • 年月日: 2014-05-28
  • 招待講演
• [学会発表] "Significant enhancement of High-Ns Electron Mobility in Ge n-MOSFETs with Atomically Flat Ge/GeO2 Interface" (2014)
  • 著者名/発表者名: C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, W. Zhang, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: The 225th Electrochemical Society Meeting (ECS)
  • 発表場所: Orlando (USA)
  • 年月日: 2014-05-11 – 2014-05-15
  • 招待講演
• [学会発表] "Thermodynamically Controlled GeO2 by Introducing M2O3 for Ultra-thin EOT Ge Gate Stacks" (2014)
  • 著者名/発表者名: Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Wenfeng Zhang, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
  • 学会等名: 2014 MRS Spring
  • 発表場所: San Francisco (USA)
  • 年月日: 2014-04-21 – 2014-04-26
• [学会発表] 「Improvement of High-Ns Electron Mobility in Ge n-MOSFETs with Atomically Flat GeO2/Ge Interface」 (2014)
  • 著者名/発表者名: 李 忠賢, 西村 知紀、魯 辞莽、張 文峰、長汐 晃輔、鳥海 明
  • 学会等名: 2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県 相模原市）
  • 年月日: 2014-03-20
• [学会発表] 「Pをイオン注入したGeにおける不純物活性化と結晶性の回復過程」 (2014)
  • 著者名/発表者名: 中村俊允、西村友紀、長汐晃輔、鳥海明
  • 学会等名: 2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県 相模原市）
  • 年月日: 2014-03-20
• [学会発表] 「Electron Mobility and Leakage Current in Double-gated Ge Junctionless n-MOSFETs」 (2014)
  • 著者名/発表者名: 株柳翔一, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
  • 学会等名: 2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県 相模原市）
  • 年月日: 2014-03-20
• [学会発表] 「Multiple Origins of Direct-gap Modulation in Ultra-thin Highly-doped GeOI」 (2014)
  • 著者名/発表者名: 株柳翔一, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
  • 学会等名: 2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県 相模原市）
  • 年月日: 2014-03-20
• [学会発表] 「Network modification of GeO2 by trivalent metal oxide doping」 (2014)
  • 著者名/発表者名: C. Lu, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県 相模原市）
  • 年月日: 2014-03-20
• [学会発表] 「Thermodynamic selection of the desirable doping materials in GeO2」 (2014)
  • 著者名/発表者名: C. Lu, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県 相模原市）
  • 年月日: 2014-03-20
• [学会発表] 「Record-high Electron Mobility in Sub-nm EOT Ge n-MOSFETs with Y-doped GeO2 Interfacial Layer」 (2014)
  • 著者名/発表者名: 李 忠賢,魯 辞莽、張 文峰、西村 知紀、長汐 晃輔、鳥海 明
  • 学会等名: 2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県 相模原市）
  • 年月日: 2014-03-20
• [学会発表] 「Conduction Band Tail States at GeO2/Ge Interface Probed by InternalPhotoemission Spectroscopy」 (2014)
  • 著者名/発表者名: W.F. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県 相模原市）
  • 年月日: 2014-03-19
• [学会発表] 「Surface Cleaning of (100) n-Ge by H2O2 Aqueous Solution 」 (2014)
  • 著者名/発表者名: W.F. Zhang, C.M. Lu, C.H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県 相模原市）
  • 年月日: 2014-03-19
• [学会発表] "Enhancement of High-Ns Electron Mobility in Ge(111) n-MOSFETs by the Formation of Atomically Flat GeO2/Ge Interface" (2014)
  • 著者名/発表者名: C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, W. F. Zhang, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: 7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
  • 発表場所: TOHOKU University(Sendai, Miyagi)
  • 年月日: 2014-01-27 – 2014-01-28
• [学会発表] "Direct Band Gap Modulation in Ultra-thin Highly Doped n-type GeOI" (2014)
  • 著者名/発表者名: S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: 7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
  • 発表場所: TOHOKU University(Sendai, Miyagi)
  • 年月日: 2014-01-27 – 2014-01-28
• [学会発表] "Selection of desirable trivalent metal oxides as doping material into GeO2" (2014)
  • 著者名/発表者名: C. Lu, C. H. Lee, W. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
  • 学会等名: 7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
  • 発表場所: TOHOKU University(Sendai, Miyagi)
  • 年月日: 2014-01-27 – 2014-01-28
• [学会発表] "Reconsideration of Electron Mobility in Ge n-MOSFETs from Ge Substrate Side -Atomically Flat Surface Formation, Layer-by-Layer Oxidation, and Dissolved Oxygen Extraction-" (2013)
  • 著者名/発表者名: C.H. Lee, T. Nishimura, T.Tabata, C. Lu, W. Zhang, K. Nagashio, A. Toriumi
  • 学会等名: IEEE International Electron Device Meeting (IEDM)
  • 発表場所: Washington DC (USA)
  • 年月日: 2013-12-09
• [学会発表] "Oxygen Potential Engineering of Interfacial Layer for Deep Sub-nm EOT High-k Gate Stacks on Ge" (2013)
  • 著者名/発表者名: C.-H. Lee, C. Lu, T. Tabata, W. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi
  • 学会等名: IEEE International Electron Device Meeting (IEDM)
  • 発表場所: Washington DC (USA)
  • 年月日: 2013-12-09
• [学会発表] "Robust Interfacial Layer Y-doped GeO2 for Scalable EOT Ge Gate Stacks" (2013)
  • 著者名/発表者名: C. H. Lee, C. Lu, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
  • 発表場所: Arlington (USA)
  • 年月日: 2013-12-05 – 2013-12-07
• [学会発表] "Time-evolution of Roughening Process on Atomically Flat Ge (111) Surface by Diluted H2O2 Solution" (2013)
  • 著者名/発表者名: W.F. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
  • 発表場所: Arlington (USA)
  • 年月日: 2013-12-05 – 2013-12-07
• [学会発表] "Network modification of GeO2 by intermixing with trivalent oxides (Sc, Y and La)" (2013)
  • 著者名/発表者名: C. Lu
  • 学会等名: IWDTF
  • 発表場所: University of Tsukuba (Tokyo Campus)(Bunkyo-ku, Tokyo)
  • 年月日: 2013-11-07 – 2013-11-09
• [学会発表] "High Electron Mobility in Germanium Junctionless n-MOSFETs" (2013)
  • 著者名/発表者名: Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio and Akira Toriumi
  • 学会等名: 224th ECS Meeting
  • 発表場所: San Francisco (USA)
  • 年月日: 2013-10-30
• [学会発表] "Atomically Flat Germanium (111) Surface by Hydrogen Annealing" (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Nishimura, S. Kabuyanagi, C. H. Lee, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: 224th ECS Meeting
  • 発表場所: San Francisco (USA)
  • 年月日: 2013-10-29
• [学会発表] "Demonstration of High Electron Mobility in Germanium n-channel Junctionless FETs" (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K.Nagashio and A.Toriumi
  • 学会等名: 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  • 発表場所: Hilton Fukuoka Sea Hawk (Fukuoka, Fukuoka)
  • 年月日: 2013-09-27
• [学会発表] "Charge neutrality level shift in the Bardeen limit of Fermi-level pinning at atomically flat Ge/metal interface" (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Nishimura, T. Nakamura, T. Yajima, K. Nagashio and A.Toriumi
  • 学会等名: 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  • 発表場所: Hilton Fukuoka Sea Hawk (Fukuoka, Fukuoka)
  • 年月日: 2013-09-26
• [学会発表] "Thermodynamic consideration and experimental demonstration for solving the problems of GeO2 solubility in H2O and GeO desorption from GeO2/Ge" (2013)
  • 著者名/発表者名: C. Lu, C.H. Lee, W.F.Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  • 発表場所: Hilton Fukuoka Sea Hawk (Fukuoka, Fukuoka)
  • 年月日: 2013-09-26
• [学会発表] "Layer-by-Layer GeO2 Formation in the Self-Limited Oxidation Regime of Ge" (2013)
  • 著者名/発表者名: C.H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  • 発表場所: Hilton Fukuoka Sea Hawk (Fukuoka, Fukuoka)
  • 年月日: 2013-09-26
• [学会発表] "Effects of the Interface-related and Bulk-fixed Charges in Ge/GeO2 Stack on Band Bending of Ge Studied by X-ray Photoemission Spectroscopy" (2013)
  • 著者名/発表者名: W.F. Zhang, C.H. Lee, C.M. Lu, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi
  • 学会等名: 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  • 発表場所: Hilton Fukuoka Sea Hawk (Fukuoka, Fukuoka)
  • 年月日: 2013-09-26
• [学会発表] "Effect of Oxygen Potential Lowering in N-doped GeO2 on Suppression of GeO Desorption and Planarization of Ge Interface", (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Tabata, C.H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
  • 学会等名: 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  • 発表場所: Hilton Fukuoka Sea Hawk (Fukuoka, Fukuoka)
  • 年月日: 2013-09-26
• [学会発表] 「多結晶Ge薄膜トランジスタの電気特性に及ぼす水素および酸素の影響」 (2013)
  • 著者名/発表者名: 株柳翔一, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
  • 学会等名: 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス（京都府, 京田辺市）
  • 年月日: 2013-09-18
• [学会発表] 「Significant Enhancement of High-Ns electron mobility in Ge n-MOSFETs」 (2013)
  • 著者名/発表者名: 李忠賢, 魯辞莽, 田畑俊行, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
  • 学会等名: 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス（京都府, 京田辺市）
  • 年月日: 2013-09-17
• [学会発表] 「Y ドープGeO2 界面層のY 濃度に依存した界面酸化膜形成」 (2013)
  • 著者名/発表者名: Lu Cimang, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
  • 学会等名: 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス（京都府, 京田辺市）
  • 年月日: 2013-09-17
• [学会発表] 「Atomically Flat Planarization of Ge (110) and (100) Surface by H2 Annealing」 (2013)
  • 著者名/発表者名: 西村知紀, 矢嶋赳彬, 長汐晃輔, 鳥海明
  • 学会等名: 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス（京都府, 京田辺市）
  • 年月日: 2013-09-17
• [学会発表] 「Oxygen Potential Lowering in N-doped GeO2 for Ge MIS Gate Stack Design in Extremely Thin EOT Region 」 (2013)
  • 著者名/発表者名: 田畑俊行, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
  • 学会等名: 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス（京都府, 京田辺市）
  • 年月日: 2013-09-17
• [学会発表] "Enhancement of High-Ns Electron Mobility in Sub-nm EOT Ge n-MOSFETs" (2013)
  • 著者名/発表者名: C.H. Lee, C. Lu, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2013 Symposia on VLSI Technology
  • 発表場所: Rihga Royal Hotel (Kyoto, Kyoto)
  • 年月日: 2013-06-11
• [学会発表] "Ultra-thin GeO2 Formation by Oxygen Radicals (O*) for Advanced Ge Gate Stacks - Reaction kinetics, film quality and MIS characteristics -" (2013)
  • 著者名/発表者名: W. J. Song, W. F. Zhang, C. H. Lee, T. Nishimura, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2013 Silicon Nanoelectronics Workshop
  • 発表場所: Rihga Royal Hotel (Kyoto, Kyoto)
  • 年月日: 2013-06-09
• [学会発表] "Impact of Oxidation Pressure on the Band Alignment at GeO2/GeProbed by Internal Photoemission Spectroscopy" (2013)
  • 著者名/発表者名: W.F. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi
  • 学会等名: ICSI-8 and ISCSI-VI
  • 発表場所: Kyushu University School of Medicine (Fukuoka, Fukuoka)
  • 年月日: 2013-06-06
• [学会発表] "Study of Strong Fermi Level Pinning at Metal/Germanium Interface Based on the Impact of Ultra-thin Insulator Insertion" (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Nishimura, T. Nakamura, and A. Toriumi
  • 学会等名: ICSI-8 and ISCSI-VI
  • 発表場所: Kyushu University School of Medicine (Fukuoka, Fukuoka)
  • 年月日: 2013-06-04
• [学会発表] "Ion Implantation-Induced Defects Generated in PN Junction Formation of Germanium" (2013)
  • 著者名/発表者名: C. H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: ICSI-8 and ISCSI-VI
  • 発表場所: Kyushu University School of Medicine (Fukuoka, Fukuoka)
  • 年月日: 2013-06-03
• [学会発表] "Effects of PDA Ambient on Leakage Current in Poly-Ge TFTs" (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: ICSI-8 and ISCSI-VI
  • 発表場所: Kyushu University School of Medicine (Fukuoka, Fukuoka)
  • 年月日: 2013-06-03
• [学会発表] "High performance Ge n- and p-MOSFETs for advanced CMOS" (2013)
  • 著者名/発表者名: A. Toriumi, C. H. Lee, T. Tabata, and T. Nishimura
  • 学会等名: E-MRS 2013 SPRING MEETING
  • 発表場所: Strasbourg (France)
  • 年月日: 2013-05-27
  • 招待講演
• [備考] 東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 鳥海研究室 成果発表
  • URL: http://www.adam.t.u-tokyo.ac.jp/publication.html
• [備考] 鳥海研究室ホームページ
  • URL: http://www.adam.t.u-tokyo.ac.jp/publication.html